"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Модификация свойств пористого кремния при адсорбции молекул йода
Воронцов А.С.1, Осминкина Л.А.1, Ткаченко А.Е.1, Константинова Е.А.1, Еленский В.Г.1, Тимошенко В.Ю.1, Кашкаров П.К.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 23 октября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2007 г.

Методами инфракрасной спектроскопии и электронного парамагнитного резонанса исследованы свойства слоев пористого кремния, сформированных на монокристаллических пластинах кремния p- и n-типа проводимости, при адсорбции молекул йода I2. Установлено, что в слоях, полученных на подложках p-типа, в атмосфере молекул I2 может происходить значительное увеличение концентрации носителей заряда --- дырок до значений ~ 1018-1019-3. В слоях пористого кремния, сформированных на подложках n-типа проводимости, зафиксированы вызванное адсорбцией инвертирование типа носителей заряда и частичное замещение кремний--водородных связей на связи кремний--йод. Обнаружено уменьшение концентрации поверхностных парамагнитных дефектов --- Pb-центров в исследуемых образцах после адсорбции йода. Полученные экспериментальные данные объясняются в рамках модели, предполагающей формирование как глубоких, так и мелких акцепторных состояний на поверхности нанокристаллов кремния при адсорбции молекул I2. PACS: 68.43.-h, 78.30.-j, 78.55.Mb
  1. A. Uhlir. Bell Syst. Tech., 35, 333 (1956)
  2. J. Rouquerol, D. Avnir, C.W. Fairbridge, D.H. Everett, J.H. Haynes, N. Pernicone, J.D.F. Ramsay, K.S.W. Sing, K.K. Unger. Pure Appl. Chem., 66, 1739 (1994)
  3. O. Bisi, S. Ossicini, L. Pavesi. Surf. Sci. Rep., 38, 1 (2000)
  4. V.Yu. Timoshenko, Th. Dittrich, F. Koch. Phys. Status Solidi B, 222, R1 (2000)
  5. Е.А. Константинова, Л.А. Осминкина, К.С. Шаров, Е.В. Курепина, П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко. ЖЭТФ, 126 (10), 857 (2004)
  6. Л.А. Осминкина, А.С. Воронцов, Е.А. Константинова, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. ФТП, 39, 482 (2005)
  7. А.В. Павликов, Л.А. Осминкина, И.А. Белогорохов, Е.А. Константинова, А.И. Ефимова, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. ФТП, 39, 1385 (2005)
  8. M. Chiesa, G. Amato, L. Boarino, E. Garrone, F. Geobaldo, E. Giamello. Angew. Chem., 42, 5031 (2003)
  9. L. Boarino, C. Baratto, F. Geobaldo, G. Amato, E. Comini, A.M. Rossi, G. Faglia, G. Le'rondel, G. Sberveglieri. Mater. Sci. Engin., B, 69--70, 210 (2000)
  10. L. Boarino, F. Geobaldo, S. Borini, A.M. Rossi, P. Rivolo, M. Rocchia, E. Garrone, G. Amato. Phys. Rev. B, 64, 205 308 (2001)
  11. Y. Yang, J.A. Yarmoff. Surf. Sci., 573, 335 (2004)
  12. D. Rioux, F. Stepniak, R.J. Pechman, J.H. Weaver. Phys. Rev. B, 51, 10 981 (1995)
  13. K. Kurita, T. Shingyouji. Jap. J. Appl. Phys., 38, 5710 (1999)
  14. W. Theib. Surf. Sci. Rep., 29, 91 (1997)
  15. H. Hara, Y. Nishi. J. Phys. Soc. Japan, 21, 6 (1966)
  16. W. Spitzer, H.Y. Fan. Phys. Rev., 108, 2 (1957)
  17. D.K. Schroder, R.N. Thomos, J.C. Swartz. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-25, 2 (1978)
  18. Ф.Ф. Волькенштейн. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции (М., Наука, 1987)
  19. H.J. von Bardeleben, D. Stievenard, A. Grosman, C. Ortega, J. Siejka. Phys. Rev. B, 47, 10 899 (1993)
  20. Е.А. Константинова, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. Поверхность. Физика, химия, механика, 2, 32 (1996)
  21. P.M. Lenahan, J.F. Conley, Jr. J. Vac.Sci. Technol. B, 16, 2134 (1998)
  22. X. Zhou, M. Ishida, A. Imanishi, Y. Nakato. Electrochim. Acta, 45, 4655 (2000).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.