"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Константы деформационного потенциала глубокого примесного центра в полупроводниках с анизотропной валентной зоной
Осипов Е.Б.1, Осипова Н.А.1, Мокина М.Е.1, Цветкова С.Н.1, Канглиев С.Д.1
1Череповецкий государственный университет, Череповец, Россия
Поступила в редакцию: 22 ноября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2007 г.

Изучено влияние деформации на состояние примесных центров с глубоким Gamma8-уровнем. К анализу расщепления уровней применяется модель короткодействующего потенциала примесного центра. Получены константы деформационного потенциала примесного центра как функции зонных констант и энергия глубокого уровня в случае сферического и несферического приближений для структуры валентной зоны. Численные расчеты констант деформационного потенциала выполнены для глубокого центра в GaAs и Ge. PACS: 71.55.-i, 71.20.Mq, 71.20.Nr, 81.40.Rs
  1. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
  2. И.В. Костин, Е.Б. Осипов, Н.А. Осипова. ФТП, 27, 1743 (1993)
  3. А.В. Малышев, И.А. Меркулов, А.В. Родина. ФТТ, 40, 1002 (1998)
  4. М.И. Даунов, И.К. Камилов, С.Ф. Габибов. ФТТ, 46, 1766 (2004)
  5. Н.С. Аверкиев, З.А. Адамия, Д.И. Аладашвили, Т.К. Аширов, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, В.Е. Седов. ФТП, 21, 421 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.