Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2026
- 1 2 3 4
2025
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Разработка конструкции гетероструктуры полупроводникового затвора с объемной активной областью для модуляторов интенсивности лазерного излучения, работающих в спектральном диапазоне 1520-1650 нм

Слипченко С.О.¹, Шашкин И.С.¹, Гришин А.Е.¹, Подоскин А.А.¹, Кондратов М.И.¹, Ризаев А.Э.¹, Козлов И.А.², Скляров Ф.В.², Пихтин Н.А.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Концерн ЦНИИ " Электроприбор", Санкт-Петербург, Россия

Email: serghpl@mail.ru

Поступила в редакцию: 24 июня 2026 г.

В окончательной редакции: 13 июля 2026 г.

Принята к печати: 21 июля 2026 г.

Выставление онлайн: 7 сентября 2026 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В рамках одномерного численного моделирования определены области оптимальных значений параметров конструкции гетероструктуры с объемной активной областью на основе тройного твердого раствора InGaAs и чипа модулятора, который используется в качестве полупроводникового оптического затвора. Проведен многопараметрический поиск допустимых наборов параметров (длина модулятора, ширина активного элемента, фактор оптического ограничения в активной области и ее толщина), при которых чип оптического затвора может обеспечивать требуемые значения коэффициента экстинкции и малосигнального усиления. Установлено, что значения коэффициента экстинкции и малосигнального усиления сильно растут при повышении фактора оптического ограничения в активной области, однако оптимальный набор параметров следует выбирать, проводя глобальный поиск. Показано, что увеличение фактора оптического ограничения в активной области до 12 % обеспечивает требуемые характеристики оптического затвора при коротких длинах модулятора (1200 мкм) и толщине активной области 80 нм. Ключевые слова: полупроводниковый оптический затвор, малосигнальное усиление, коэффициент экстинкции, численное моделирование, объемная активная область InGaAs.

R. Zhang, J. Dong2, Zh. Feng, F. Zhou, H.L. Tian, H.Y. Shu, L. Zhao, J. Bian, W. Wang. Opt. Eng., 42 (3), 798 (2003). DOI: 10.1117/1.1539053
A.R. Zali, M. Rombouts, S. Kleijn, L. Augustin, N. Calabretta. Opt. Express, 34 (12), 21765 (2026). DOI: 10.1364/OE.586629
M. Labrecque, J. Campbell, K. McClune, J. Sherman, I. Kudryashov, J. Kotelnikov, A. Katsnelson, L. Johansson, M. Mashanovitch, P. Leisher, G. Morrison. In: Laser Technology for Defense and Security XX, Jun. 2025 (Orlando, Florida, USA) р. 5. DOI: 10.1117/12.3055046
A. Maho, S. Lev\^eque, B. Benazet, F. Duport, F. Van Dijk, J. Edmunds, M. Welch, W. Dorward, A. Sancho, D. Mesquita, L. Stampoulidis, M. Sotom. In: Int. Conf. on Space Optics --- ICSO 2024, Jul. 2025 (Juan-les-Pins, France) p. 170. DOI: 10.1117/12.3075210
J. Cui, K.E. Zoiros, A. Kotb. Nanomaterials, 16 (3), 202 (2026). DOI: 10.3390/nano16030202
T. Ito, N. Yoshimoto, K. Magari, K. Kishi, Y. Kondo. Electron. Lett., 33 (21), 1791 (1997). DOI: 10.1049/el:19971190
S. Tanaka, S.H. Jeong, S. Yamazaki, S. Tomabechi, A. Uetake, M. Ekawa, K. Morito. In: OFC/NFOEC 2008 Conf. on Optical Fiber Communication/National Fiber Optic Engineers Conf., Feb. 2008 (San Diego, CA, USA) pp. 1-3. DOI: 10.1109/OFC.2008.4528685
J. Piprek. Handbook of Optoelectronic Device Modeling and Simulation (Boca Raton, CRC Press, 2017)
A. Totovic, D. Gvozdic. Traveling-Wave and Reflective Semiconductor Optical Amplifiers. In: Handbook of Optoelectronic Device Modeling and Simulation, ed. by J. Piprek (Boca Raton, CRC Press, 2017) pp. 631--696
L.A. Coldren, S.W. Corzine, M.L. Mavsanovic. Diode lasers and photonic integrated circuits (John Wiley \& Sons, 2012)
M. Itoh, Y. Shibata, T. Kakitsuka, Y. Kadota, Y. Tohmori. IEEE Phot. Techn. Lett., 14 (6), 765 (2002). DOI: 10.1109/LPT.2002.1003086

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель