Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2026, выпуск 4 » Статья стр. 193
>>>
Низкоплотные массивы комплексов тройных квантовых точек InAs/GaAs(111)B
Российский научный фонд, Президентская программа исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными, 23-79-10313
Министерство науки и высшего образования РФ, Государственное задание Министерства науки и высшего образования РФ в области научной деятельности, FENW-2025-0004
Балакирев С.В. 1, Солодовник Н.Е. 1, Шандыба Н.А. 1, Духан Д.Д. 1, Ерёменко М.М. 1, Солодовник М.С. 1
1Лаборатория эпитаксиальных технологий, Южный федеральный университет, Таганрог, Россия
Email: sbalakirev@sfedu.ru
Поступила в редакцию: 31 марта 2026 г.
В окончательной редакции: 15 июля 2026 г.
Принята к печати: 15 июля 2026 г.
Выставление онлайн: 7 сентября 2026 г.
PDF версия
Представлен подход по эпитаксиальному формированию упорядоченных комплексов тройных квантовых точек InAs/GaAs в треугольной конфигурации с низкой поверхностной плотностью (0.25-1 мкм-2). Квантовые точки формируются в вершинах оснований пирамидальных углублений на подложках GaAs(111)B, структурированных с использованием методики на основе комбинации фокусированных ионных пучков и локального капельного травления. Расстояние между точками в комплексе определяется топологией структурирования подложки и возрастает с увеличением периода воздействия пучка. Оптимизация параметров структурирования позволяет обеспечить высокую селективность тройных квантовых точек в углублениях. Спектры фотолюминесценции квантовых точек демонстрируют излучение в диапазоне 900-1150 нм с интенсивностью, возрастающей при увеличении дозы ионов и уменьшении периода воздействия пучка. Ключевые слова: квантовые точки, InAs, GaAs(111)B, эпитаксия, фокусированные ионные пучки.
  1. H. Wang, T.C. Ralph, J.J. Renema, C.-Y. Lu, J.-W. Pan. Nature Materials, 24 (12), 1883 (2025). DOI: 10.1038/s41563-025-02306-7
  2. T. Aizawa, M. Shinozaki, Y. Fujiwara, T. Kumasaka, W. Izumida, A. Ludwig, A.D. Wieck, T. Otsuka. Phys. Rev. B, 110 (23), 235421 (2024). DOI: 10.1103/PhysRevB.110.235421
  3. K. Baba, K. Noro, Y. Kozuka, T. Kumasaka, M. Shinozaki, M. Kawasaki, T. Otsuka. Sci. Rep., 15, 36612 (2025). DOI: 10.1038/s41598-025-20567-9
  4. Y. Qi, J.-H. Wei. Chinese Physics B, 33 (5), 057301 (2024). DOI: 10.1088/1674-1056/ad2d54
  5. H. Rahman, I. Khan, S. Yousaf, H. Bibi, S. Ali, H. Ali, S. Haddadi. Phys. Lett. A, 475, 128864 (2023). DOI: 10.1016/j.physleta.2023.128864
  6. J. Li, S. Dong, J. Wei. Chinese Physics B, 35 (2), 020302 (2026). DOI: 10.1088/1674-1056/adec5d
  7. A.V. Tsukanov. Optical Quant. Electron., 57 (7), 424 (2025). DOI: 10.1007/s11082-025-08337-3
  8. J.-H. Kang, H. Ryu. Solid-State Electron., 213, 108863 (2024). DOI: 10.1016/j.sse.2024.108863
  9. K.W. Chan, H. Sahasrabudhe, W. Huang, Y. Wang, H.C. Yang, M. Veldhorst, J.C.C. Hwang, F.A. Mohiyaddin, F.E. Hudson, K.M. Itoh, A. Saraiva, A. Morello, A. Laucht, R. Rahman, A.S. Dzurak. Nano Lett., 21 (3), 1517 (2021). DOI: 10.1021/acs.nanolett.0c04771
  10. J.-Y. Wang, S. Huang, G.-Y. Huang, D. Pan, J. Zhao, H.Q. Xu. Nano Lett., 17 (7), 4158 (2017). DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b00927
  11. H. Yao, C.-P. Cheng, L.-L. Li, R. Guo, Y. Guo, C. Zhang. Nanoscale Adv., 5 (4), 1199 (2023). DOI: 10.1039/d2na00838f
  12. M. Seo, H.K. Choi, S.-Y. Lee, N. Kim, Y. Chung, H.-S. Sim, V. Umansky, D. Mahalu. Phys. Rev. Lett., 110 (4), 046803 (2013). DOI: 10.1103/PhysRevLett.110.046803
  13. Y. Qi, Y.-M. Liu, Y.-D. Wang, J.-H. Wei, Z.-G. Zhu. Chinese Physics B, 32 (8), 087304 (2023). DOI: 10.1088/1674-1056/acd36c
  14. J. Li, Y. Qi, Y. Wang, J. Wei. Quant. Inf. Process., 24 (8), 241 (2025). DOI: 10.1007/s11128-025-04856-w
  15. E. Kersting, H.-G. Babin, N. Spitzer, J.-Y. Yan, F. Liu, A.D. Wieck, A. Ludwig. Nanomaterials, 15 (3), 157 (2025). DOI: 10.3390/nano15030157
  16. I.M. Masson, A. Hageman, C. Whittier, D. Montealegre, B. Kamaliya, N.D. Bassim, J.P. Prineas, R. Uppu. ACS Nano, 20 (3), 2872 (2026). DOI: 10.1021/acsnano.5c17982
  17. C. Heyn, A. Stemmann, T. Koppen, C. Strelow, T. Kipp, M. Grave, S. Mendach, W. Hansen. Appl. Phys. Lett., 94 (18), 183113 (2009). DOI: 10.1063/1.3133338
  18. Y.H. Huo, A. Rastelli, O.G. Schmidt. Appl. Phys. Lett., 102 (15), 152105 (2013). DOI: 10.1063/1.4802088
  19. X. Zhao, W. Liu, Y. Bao, X. Chen, C. Ji, G. Yang, B. Wei, F. Yang, X. Wang. Nanotechnology, 36 (5), 052001 (2025). DOI: 10.1088/1361-6528/ad8d61
  20. J. Lee, T.W. Saucer, A.J. Martin, D. Tien, J.M. Millunchick, V. Sih. Nano Lett., 11 (3), 1040 (2011). DOI: 10.1021/nl1038902
  21. L.N. McCabe, J.M.O. Zide. J. Vac. Sci. Technol. A, 39 (1), 010802 (2021). DOI: 10.1116/6.0000623
  22. S. Scholz, R. Schott, M. Schmidt, M. Mehta, A. Ludwig, A.D. Wieck. Phys. Status Solidi B, 256 (7), 1800375 (2019). DOI: 10.1002/pssb.201800375
  23. H. McKay, P. Rudzinski, A. Dehne, J.M. Millunchick. Nanotechnology, 18 (45), 455303 (2007). DOI: 10.1088/0957-4484/18/45/455303
  24. N.E. Chernenko, I.S. Makhov, I.A. Melnichenko, K.D. Yakunina, S.V. Balakirev, N.V. Kryzhanovskaya, M.S. Solodovnik. St. Petersbg. Polytech. Univ. J. Phys. Math., 17 (3.1), 38 (2024). DOI: 10.18721/JPM.173.107
  25. S.V. Balakirev, N.E. Chernenko, E.A. Lakhina, D.V. Kirichenko, N.A. Shandyba, D.D. Dukhan, M.M. Eremenko, M.S. Solodovnik. Nanobiotechnol. Rep., 19 (S1), S37 (2024). DOI: 10.1134/S2635167624602341
  26. M.S. Solodovnik, D.V. Kirichenko, D.D. Dukhan, N.E. Chernenko, I.S. Makhov, N.A. Shandyba, M.M. Eremenko, N.V. Kryzhanovskaya, S.V. Balakirev. Appl. Surf. Sci., 688, 162373 (2025). DOI: 10.1016/j.apsusc.2025.162373

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme