Представлены результаты разработки и исследования быстродействующих ультрафиолетовых фотодиодов Шоттки на основе Pt/β-Ga₂O₃. Подложки β-Ga₂O₃ с ориентацией (100) обладают высоким оптическим пропусканием (T≥80 %) в видимом диапазоне длин волн (λ≥380 нм). Детекторы демонстрируют высокую чувствительность к УФ-излучению, а также обладают внутренним усилением фототока. При длине волны 254 нм и обратном напряжении -20 В токовая монохроматическая чувствительность, квантовая эффективность и удельная обнаружительная способность составляют 1 A/Вт, 488 % и 1.3·10¹² см · Гц^0.5 · Вт^-1 соответственно. Исследование переходных характеристик показало, что полученные структуры характеризуются малыми временами отклика и восстановления, составляющими 4.4 и 1.4 мкс соответственно при нулевом смещении. Ключевые слова: оксид галлия, УФ-детектор, быстродействие, усиление.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.