Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2026, выпуск 3 » Статья стр. 172
<<<>>>
Оптическое и электрооптическое отражение от резонансной брэгговской структуры из 30 сдвоенных квантовых ям InGaN/GaN
Иванов А.А. 1, Чалдышев В.В. 1, Заварин Е.Е.1,2, Сахаров А.В.1,2, Лундин В.В.1,2, Марков Л.К.1,2, Смирнова И.П.1,2, Цацульников А.Ф.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: aleksei98.ivanov@mail.ioffe.ru, chald.gvg@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 3 июня 2026 г.
В окончательной редакции: 15 июня 2026 г.
Принята к печати: 15 июня 2026 г.
Выставление онлайн: 29 июля 2026 г.
PDF версия
Исследовано формирование сверхизлучательной экситон-поляритонной моды в спектре отражения резонансной брэгговской структуры, состоящей из 30 сдвоенных квантовых ям InGaN/GaN, при комнатной температуре. При приложении обратного напряжения в резонансной брэгговской структуре наблюдается сильный электрооптический эффект. Этот эффект достигается за счет уменьшения встроенного электрического поля в квантовой яме InGaN/GaN, что приводит к увеличению радиационного затухания экситонов. Ключевые слова: резонансная брэгговская структура, квантовые ямы, экситоны, нитрид галлия, квантово-ограниченный эффект Штарка.
  1. H. Liu, X. Liu, L. Peng, Z. Huang, Q. Wu. Opt. Lasers Eng., 186, 108773 (2025). https://doi.org/10.1016/j.optlaseng.2024.108773
  2. G. Sinatkas, T. Christopoulos, O. Tsilipakos, E.E. Kriezis. J. Appl. Phys., 130 (1), 010901 (2021). https://doi.org/10.1063/5.0048712
  3. Y. Yan, H. Zhang, X. Liu, L. Peng, Q. Zhang, G. Yu, Q. Wu, H. Li. Laser Photon. Rev., 19 (3), 2400624 (2025). https://doi.org/10.1002/lpor.202400624
  4. H.M. Gibbs, G. Khitrova, S.W. Koch. Nature Photonics, 5 (5), 273 (2011). https://doi.org/10.1038/nphoton.2011.15
  5. Е.Л. Ивченко, А.И. Несвижский, С. Йорда. ФТТ, 36 (7), 2118 (1994). [E.L. Ivchenko, A.I. Nesviszhskii, S. Jorda. Phys. Solid State, 36 (7), 1156 (1994)]
  6. Е.Л. Ивченко, А.Н. Поддубный. ФТТ, 55 (5), 905 (2013). [E.L. Ivchenko, A.N. Poddubny. Phys. Solid State, 55 (5), 905 (2013). https://doi.org/10.1134/S1063783413050120]
  7. M. Hubner, J.P. Prineas, C. Ell, P. Brick, E.S. Lee, G. Khitrova, H.M. Gibbs, S.W. Koch. Phys. Rev. Lett., 83 (14), 2841 (1999). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.83.2841
  8. G.R. Hayes, J.L. Staehli, U. Oesterle, B. Deveaud, R.T. Phillips, C. Ciuti. Phys. Rev. Lett., 83 (14), 2837 (1999). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.83.2837
  9. J.P. Prineas, C. Ell, E.S. Lee, G. Khitrova, H.M. Gibbs, S.W. Koch. Phys. Rev. B, 61 (20), 13863 (2000). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.61.13863
  10. J.P. Prineas, C. Cao, M. Yildirim, W. Johnston, M. Reddy. J. Appl. Phys., 100 (6), 063101 (2006). https://doi.org/10.1063/1.2234814
  11. M. Hubner, J. Kuhl, T. Stroucken, A. Knorr, S.W. Koch, R. Hey, K. Ploog. Phys. Rev. Lett., 76 (22), 4199 (1996). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.76.4199
  12. В.В. Чалдышев, А.С. Школьник, В.П. Евтихиев, T. Holden. ФТП, 41 (12), 1455 (2007). [V.V. Chaldyshev, A.S. Shkol'nik, V.P. Evtikhiev, T. Holden. Semiconductors, 41 (12), 1434 (2007). https://doi.org/10.1134/S106378260712010X]
  13. D. Goldberg, L.I. Deych, A.A. Lisyansky, Z. Shi, V.M. Menon, V. Tokranov, M. Yakimov, S. Oktyabrsky. Nature Photonics, 3 (11), 662 (2009). https://doi.org/10.1038/nphoton.2009.190
  14. V.V. Chaldyshev, Y. Chen, A.N. Poddubny, A.P. Vasilev, Z. Liu. Appl. Phys. Lett., 98 (7), 073112 (2011). https://doi.org/10.1063/1.3554429
  15. В.В. Чалдышев, Е.В. Кунделев, Е.В. Никитина, А.Ю. Егоров, А.А. Горбацевич. ФТП, 46 (8), 1039 (2012). [V.V. Chaldyshev, E.V. Kundelev, E.V. Nikitina, A.Yu. Egorov, A.A. Gorbatsevich. Semiconductors, 46 (8), 1016 (2012). https://doi.org/10.1134/S1063782612080052]
  16. Y. Chen, N. Maharjan, Z. Liu, M.L. Nakarmi, V.V. Chaldyshev, E.V. Kundelev, A.N. Poddubny, A.P. Vasil'ev, M.A. Yagovkina, N.M. Shakya. J. Appl. Phys., 121 (10), 103101 (2017). https://doi.org/10.1063/1.4978252
  17. А.С. Большаков, В.В. Чалдышев, А.В. Бабичев, Д.А. Кудряшов, А.С. Гудовских, И.А. Морозов, М.С. Соболев, Е.В. Никитина. ФТП, 49 (11), 1448 (2015). [A.S. Bolshakov, V.V. Chaldyshev, A.V. Babichev, D.A. Kudryashov, A.S. Gudovskikh, I.A. Morozov, M.S. Sobolev E.V. Nikitina. Semiconductors, 49 (11), 1400 (2015). https://doi.org/10.1134/S1063782615110044]
  18. G. Pozina, M.A. Kaliteevski, E.V. Nikitina, D.V. Denisov, V. Pirogov, L.I. Goray, A.R. Gubaydullin, K.A. Ivanov, N.A. Kaliteevskaya, A.Y. Egorov, S.J. Clark. Sci. Rep., 5, 14911 (2015). https://doi.org/10.1038/srep14911
  19. G. Pozina, K.A. Ivanov, K.M. Morozov, E.I. Girshova, A.Y. Egorov, S.J. Clark, M.A. Kaliteevski. Sci. Rep., 9, 10162 (2019). https://doi.org/10.1038/s41598-019-46646-2
  20. J.P. Prineas, J.Y. Zhou, J. Kuhl, H.M. Gibbs, G. Khitrova, S.W. Koch, A. Knorr. Appl. Phys. Lett., 81 (23), 4332 (2002). https://doi.org/10.1063/1.1526455
  21. M. Schaarschmidt, J. Forstne, A. Knorr, J.P. Prineas, N.C. Nielsen, J. Kuhl, G. Khitrova, H.M. Gibbs, H. Giessen, S.W. Koch. Phys. Rev. B, 70 (23), 233302 (2004). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.70.233302
  22. W.J. Johnston, M. Yildirim, J.P. Prineas, A.L. Smirl, H.M. Gibbs, G. Khitrova. Appl. Phys. Lett., 87 (10), 101113 (2005). https://doi.org/10.1063/1.2042550
  23. D.T. Nguyen, N.H. Kwong, Z.S. Yang, R. Binder, A.L. Smirl. Appl. Phys. Lett., 90 (18), 181116 (2007). https://doi.org/10.1063/1.2735673
  24. W.J. Johnston, J.P. Prineas, A.L. Smirl. J. Appl. Phys., 101 (4), 046101 (2007). https://doi.org/10.1063/1.2433994
  25. V.V. Chaldyshev, A.S. Bolshakov, E.E. Zavarin, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, A.F. Tsatsulnikov, M.A. Yagovkina, T. Kim, Y. Park. Appl. Phys. Lett., 99 (25), 251103 (2011). https://doi.org/10.1063/1.3670499
  26. A.S. Bolshakov, V.V. Chaldyshev, V.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsulnikov, M.A. Yagovkina, E.E. Zavarin. J. Mater. Res., 30 (5), 603 (2015). https://doi.org/10.1557/jmr.2014.397
  27. A.S. Bolshakov, V.V. Chaldyshev, E.E. Zavarin, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, A.F. Tsatsulnikov, M.A. Yagovkina. J. Appl. Phys., 121 (13), 133101 (2017). https://doi.org/10.1063/1.4979636
  28. S.V. Poltavtsev, I.A. Solovev, I.A. Akimov, V.V. Chaldyshev, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsulnikov, D.R. Yakovlev, M. Bayer. Phys. Rev. B, 98 (19), 195315 (2018). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.98.195315
  29. A.A. Ivanov, V.V. Chaldyshev, V.I. Ushanov, E.E. Zavarin, A.V. Sakharov, V.V. Lundin, A.F. Tsatsulnikov. Appl. Phys. Lett., 121 (4), 041101 (2022). https://doi.org/10.1063/5.0095417
  30. A.A. Ivanov, V.V. Chaldyshev, E.E. Zavarin, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, A.F. Tsatsulnikov. Appl. Phys. Lett., 125 (19), 191105 (2024). https://doi.org/10.1063/5.0233600
  31. A.A. Ivanov, V.V. Chaldyshev, E.E. Zavarin, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, A.F. Tsatsulnikov. Appl. Phys. Lett., 123 (12), 121106 (2023). https://doi.org/10.1063/5.0160512
  32. A.A. Ivanov, V.V. Chaldyshev, A.V. Sakharov, A.E. Nikolaev, D.S. Arteev, A.F. Tsatsulnikov. Appl. Phys. Lett., 128 (14), 141107 (2026). https://doi.org/10.1063/5.0322897
  33. N. Shimosako, Y.F. Miura, Y. Akagi, C. Yajima, K. Naoi, Y. Takeoka, H. Kunugita, K. Ema. Phys. Rev. Res., 7 (4), 043171 (2025). https://doi.org/10.1103/kv7s-jq7s
  34. E.L. Ivchenko, M.M. Voronov, M.V. Erementchouk, L.I. Deych, A.A. Lisyansky. Phys. Rev. B, 70 (19), 195106 (2004). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.70.195106
  35. U. Tisch, B. Meyler, O. Katz, E. Finkman, J. Salzman. J. Appl. Phys., 89 (5), 2676 (2001). https://doi.org/10.1063/1.1341212
  36. E.L. Ivchenko. Optical Spectroscopy of Semiconductor Nanostructures (Springer, Berlin, 2007)
  37. В.А. Щукин, Н.Н. Леденцов, Л.Я. Карачинский, С.А. Блохин, И.И. Новиков, Н.А. Богословский, А.В. Савельев. ФТП, 47 (11), 1542 (2013). [V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, L.Ya. Karachinsky, S.A. Blokhin, I.I. Novikov, N.A. Bogoslovskiy, A.V. Savelyev. Semiconductors, 47 (11), 1528 (2013). https://doi.org/10.1134/S1063782613110201]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme