Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2026, выпуск 3 » Статья стр. 154
<<<>>>
Исследование резистивного переключения в мемристорной структуре на основе пленки оксида титана с графеновым интерфейсом
Российский научный фонд, 25-19-00809
Министерство науки и высшего образования РФ , Приоритет-2030, СП02/Ю8_0708Приоритет_01
Родригес Д.Х. 1, Житяев И.Л. 1, Картель М.С. 1, Томинов Р.В. 1, Кошуджу Э. 1, Смирнов В.А. 1
1Лаборатория нейроэлектроники и мемристивных наноматериалов (НЕЙРОМЕНА), Южный федеральный университет, Таганрог, Россия
Email: srodriges@sfedu.ru, izhityaev@sfedu.ru, mkartel@sfedu.ru, tominov@sfedu.ru, koshudzhu@sfedu.ru, vasmirnov@sfedu.ru
Поступила в редакцию: 31 марта 2026 г.
В окончательной редакции: 23 апреля 2026 г.
Принята к печати: 3 июля 2026 г.
Выставление онлайн: 29 июля 2026 г.
PDF версия
Представлены результаты исследования мемристорных свойств оксида титана на поверхности графена. Толщина слоя титана составила 10 нм. В качестве верхнего электрода использованы контактные площадки из оксида индия-олова. Исследованы конфигурации мемристорной структуры вертикального типа ITO/TiO2/графен и планарная - с двумя верхними контактами из оксида индия-олова. Обе конфигурации демонстрируют устойчивое биполярное резистивное переключение. Для вертикальной структуры отношение сопротивлений Roff/Ron составило ~2.35±0.25. В планарной конфигурации графен обеспечивает латеральный транспорт носителей при переходе оксида титана в низкоомное состояние. Для данной конфигурации продемонстрирована стабильная работа на протяжении более 103 циклов переключения с сопротивлениями в высокоомном и низкоомном состояниях 260±10 и 115±13 Ом соответственно, отношение сопротивлений Roff/Ron составляет ~2.2±0.3. Результаты подтверждают перспективность графеновых электродов для новых схемотехнических решений в мемристорах на основе оксида титана. Ключевые слова: мемристор, графен, диоксид титана, резистивное переключение, проводящий канал.
  1. J. Pronold, J. Jordan, B.J. Wylie, I. Kitayama, M. Diesmann, S. Kunkel. Parallel Comput., 113, 102952 (2022). DOI: 10.1016/j.parco.2022.102952
  2. S. Kumar, R.S. Williams, Z. Wang. Nature, 585 (7826), 518 (2020). DOI: 10.1038/s41586-020-2735-5
  3. Z. Cao, B. Sun, G. Zhou, S. Mao, S. Zhu, J. Zhang, C. Ke, Y. Zhao, J. Shao. Nanoscale Horiz., 8 (6), 716 (2023). DOI: 10.1039/D2NH00536K
  4. B. Jana, A. Roy Chaudhuri. Chips, 3 (3), 235 (2024). DOI: 10.3390/chips3030012
  5. R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov, K. Szot. Adv. Mater., 21 (25-26), 2632 (2009). DOI: 10.1002/adma.200900375
  6. A.V. Saenko, R.V. Tominov, I.L. Jityaev, Z.E. Vakulov, V.I. Avilov, N.V. Polupanov, V.A. Smirnov. Nanomaterials, 14 (23), 1901 (2024). DOI: 10.3390/nano14231901
  7. V.I. Avilov, R.V. Tominov, Z.E. Vakulov, D.J. Rodriguez, N.V. Polupanov, V.A. Smirnov. Nanomaterials, 15 (1), 75 (2025). DOI: 10.3390/nano15010075
  8. X. Sheng, C.E. Graves, S. Kumar, X. Li, B. Buchanan, L. Zheng, S. Lam, C. Li, S. Williams, J.P. Strachan. Adv. Electron. Mater., 5 (9), 1800876 (2019). DOI: 10.1002/aelm.201800876
  9. I. Jityaev, V. Avilov, A. Avakyan, A. Fedotov, C. Prakash, V. Smirnov. In: 2023 7th Scientific School Dynamics of Complex Networks and their Applications (DCNA) p. 108 (IEEE, 2023). DOI: 10.1109/DCNA59899.2023.10290497
  10. J.B. Roldan, E. Miranda, D. Maldonado, A.N. Mikhaylov, N.V. Agudov, A.A. Dubkov, M.N. Koryazhkina, M.B. Gongora, L.O. Chua. Adv. Intell. Syst., 5 (6), 2200338 (2023). DOI: 10.1002/aisy.202200338
  11. S.K. Nandi, E. Puyoo, S.K. Nath, D. Albertini, N. Baboux, S.K. Das, T. Blon, R.G. Elliman. ACS Appl. Mater. Interfaces, 14 (25), 29025 (2022). DOI: 10.1021/acsami.2c06870
  12. K.S. Woo, R.S. Williams, S. Kumar. Chem. Rev., 125 (1), 294 (2025). DOI: 10.1021/acs.chemrev.4c00454
  13. Y. Cai, W. Yu, Q. Zhu, X. Liu, X. Guo, W. Liang. Nanoscale, 17 (30), 17758 (2025). DOI: 10.1039/D5NR01019E
  14. K. Sato, Y. Hayashi, N. Masaoka, T. Tohei, A. Sakai. Sci. Rep., 13 (1), 1261 (2023). DOI: 10.1038/s41598-023-28075-4
  15. W. Chen, L. Song, S. Wang, Z. Zhang, G. Wang, G. Hu, S. Gao. Adv. Electron. Mater., 9 (2), 2200833 (2023). DOI: 10.1002/aelm.202200833
  16. M.S. Kim, S. Kim. ACS Appl. Electron. Mater., 6 (6), 3998 (2024). DOI: 10.1021/acsaelm.4c00428
  17. S. Hadke, M.A. Kang, V.K. Sangwan, M.C. Hersam. Chem. Rev., 125 (2), 835 (2025). DOI: 10.1021/acs.chemrev.4c00631
  18. K.S. Novoselov, A.K. Geim, S.V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S.V. Dubonos, I.V. Grigorieva, A.A. Firsov. Science, 306 (5696), 666 (2004). DOI: 10.1126/science.1102896
  19. A.S. Kolomiytsev, I.L. Jityaev, A.M. Svetlichnyi, A.A. Fedotov, O.A. Ageev. Diamond Relat. Mater., 108, 107969 (2020). DOI: 10.1016/j.diamond.2020.107969
  20. T. Mei, F. Chen, T. Huang, Z. Feng, T. Wan, Z. Han, J. Li, D. Chu. ACS Nano, 19 (18), 17140 (2025). DOI: 10.1021/acsnano.5c02397
  21. S. Zhang, Y. Tao, S. Qin, D. Li, K. Cao, L. Lv, Y. Peng, W. Hao. npj 2D Mater. Appl., 8 (1), 81 (2024). DOI: 10.1038/s41699-024-00519-z
  22. F. Pan, S. Gao, C. Chen, C. Song, F. Zeng. Mater. Sci. Eng. R, 83, 1 (2014). DOI: 10.1016/j.mser.2014.06.002
  23. S. Ji, J. Kim, J. Hong, J. Choi, S. Yun, A.K. Katiyar, M.K. Song, J.H. Ahn. Small, e07845 (2025). DOI: 10.1002/smll.202507845
  24. R. Mehta, S. Chugh, Z. Chen. Nanoscale, 9 (5), 1827 (2017). DOI: 10.1039/C6NR07637H
  25. I.L. Jityaev, M.S. Kartel, Yu.Yu. Jityaeva, V.A. Smirnov. Russ. Microelectron., 54 (8), 859 (2025). DOI: 10.1134/S1063739725601869
  26. C. Mihai, I.D. Simandan, F. Sava, T. Tite, A. Bocirnea, M. Vaduva, A.C. Galca, A. Velea. Nanomaterials, 15 (16), 1239 (2025). DOI: 10.3390/nano15161239
  27. T.T.H. Vu, M.H. Park, T.L. Phan, H.J. Park, V.T. Vu, H.J. Kim, S.G. Yoon, W.J. Yu. Appl. Surf. Sci., 689, 162460 (2025). DOI: 10.1016/j.apsusc.2025.162460

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme