Изучено влияние бистабильности амфотерных центров с отрицательной корреляционной энергией на концентрацию свободных носителей. Обнаружено, что в случае отсутствия компенсирующей примеси, в определенном интервале температур концентрация свободных носителей не зависит от концентрации бистабильных амфотерных U^--центров. Энергия активации приводимости и положение уровня Ферми в запрещенной зоне полупроводника определяются не только такими электронными характеристиками центров, как энергия ионизации центра, но и параметрами перехода между двумя равновесными состояниями центра. Приведены результаты численного расчета температурной зависимости концентрации свободных носителей в полупроводнике с бистабильными амфотерными U^--центрами для различных условий компенсации. Показано, что имеет место эффект зависимости наблюдаемой энергии активации темновой проводимости от степени компенсации. PACS: 61.72.-y, 61.72.Bb, 61.80.Az, 61.72.Ji

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.