"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Реконструкция поверхности InSb(111)A при адсорбции серы
Лебедев М.В.1, Shimomura M.2, Fukuda Y.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Nano-Device Process Lab, Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, 43, Japan
Поступила в редакцию: 27 сентября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2007 г.

Методами дифракции медленных электронов и оже-электронной спектроскопии исследовалось изменение реконструкции поверхности InSb(111)A при адсорбции серы и отжиге в сверхвысоком вакууме. Показано, что эволюция реконструкции поверхности InSb(111)A существенным образом зависит от исходной толщины адсорбированного слоя серы на поверхности. Если толщина слоя серы немногим больше монослоя, то на поверхности формируется реконструкция (1x 1), которая при последующем отжиге трансформируется в реконструкцию (2x 2). Если же толщина слоя серы составляет несколько монослоев, то этот слой серы будет изначально аморфным. Отжиг такой поверхности при температуре 315-325oC может привести к образованию реконструкции (sqrt(3)sqrt, которая при более высокой температуре трансформируется в реконструкцию (2x 2), сохраняющуюся при дальнейшем отжиге вплоть до полного исчезновения атомов серы с поверхности. Впервые показано, что при адсорбции атомов халькогенидов на поверхности AIIIBV(111)A может образовываться реконструкция (sqrt(3)sqrt. PACS: 68.43.-h, 68.47.Fg
  1. D.L. Smith. Sol. St. Commun., 57, 919 (1986)
  2. E.A. Caridi, T.Y. Chang, K.W. Goosen, L.F. Eastman. Appl. Phys. Lett., 56, 569 (1990)
  3. Y. Kajikawa, N. Sugiyama, T. Kamijoh, Y. Katayama. Jpn. J. Appl. Phys., 28, L1022 (1989)
  4. W.K. Liu, M.B. Santos. J. Vac. Sci. Technol. B, 14, 647 (1996)
  5. P. Fantini, S. Gardonio, P. Barbieri, U. de Pennino, C. Mariani, M.G. Betti, E. Magnano, M. Pivetta, M. Sancrotti. Surf. Sci., 463, 174 (2000)
  6. D. Kondo, K. Sakamoto, M. Shima, W. Takeyama, K. Nakamura, K. Ono, Y. Kasukabe, M. Oshima. Phys. Rev. B, 70, 233 314 (2004)
  7. J. Bohr, R. Feidenhans'l, M. Nielsen, M. Toney, R.L. Johnson, I.K. Robinson. Phys. Rev. Lett., 54, 1275 (1985)
  8. T. Nakada, T. Osaka. Phys. Rev. Lett., 67, 2834 (1991)
  9. L.O. Olsson, L. Ilver, J. Kanski, P.O. Nilsson, C.B.M. Andersson, U.O. Karlsson, M.C. H kansson. Phys. Rev. B, 53, 4734 (1996)
  10. J.W. Kim, S. Kim, J.M. Seo, S.-I. Tanaka, M. Kamada. Phys. Rev. B, 54, 4476 (1996)
  11. T. Eguchi, T. Miura, S.-P. Cho, T. Kadohira, N. Naruse, T. Osaka. Surf. Sci., 514, 343 (2002)
  12. M. Nishsizawa, T. Eguchi, T. Misima, J. Nakamura, T. Osaka. Phys. Rev. B, 57, 6317 (1998)
  13. C.J. Sandroff, R.N. Nottenburg, J.-C. Bischoff, R. Bhat. Appl. Phys. Lett., 51, 33 (1987)
  14. В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. ФТП, 32, 1281 (1998)
  15. F. Seker, K. Meeker, T.F. Kuech, A.B. Ellis. Chem. Rev., 100, 2505 (2000)
  16. M. Shimomura, N. Sanada, S. Ichikawa, Y. Fukuda, M. Nagoshi, P.J. M ller. J. Appl. Phys., 83, 3071 (1998)
  17. C.H. Li, Y. Sun, D.C. Law, S.B. Visbeck, R.F. Hicks. Phys. Rev. B, 68, 085 320 (2003)
  18. B. Murphy, P. Moriarty, L. Roberts, T. Cafolla, G. Hughes, L. Koenders, P. Bailey. Surf. Sci., 317, 73 (1994)
  19. S. Maeyama, M. Sugiyama, M. Oshima. Surf. Sci., 357-- 358, 527 (1996)
  20. A. Ohtake, T. Komura, T. Hanada, S. Miwa, T. Yasuda, K. Arai, T. Yao. Phys. Rev. B, 59, 8032 (1999)
  21. S. Ichikawa, N. Sanada, S. Mochizuki, Y. Esaki, Y. Fukuda, M. Shimomura, T. Abukawa, S. Kono. Phys. Rev. B, 61, 12 982 (2000)
  22. M. Shimomura, Y. Sano, N. Sanada, L.L. Cao, Y. Fukuda. Appl. Surf. Sci., 244, 153 (2005)
  23. S. Ichikawa, Y. Suzuki, N. Sanada, N. Utsumi, T. Yamaguchi, X.Y. Gong, Y. Fukuda. J. Vac. Sci. Technol. A, 17, 421 (1999)
  24. M.D. Pashley. Phys. Rev. B, 40, 10 481 (1989)
  25. L.J. Whitman, P.M. Thibado, S.C. Erwin, B.R. Bennett, B.V. Shanabrook. Phys. Rev. Lett., 79, 693 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.