Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

EBIC characterization of light emitting structures based on GaN

Shmidt N.M.¹, Vergeles P.S.², Yakimov E.B.¹

¹Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
²Institute of Microelectronics Technology, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Поступила в редакцию: 16 октября 2006 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2007 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

The EBIC investigations of light emitting structures based on InGaN/GaN MQW with different number of wells have been carried out. The pronounced dependence of collection efficiency on quantum well number is observed. A comparison with apparent carrier profiles calculated from the C-V curves reveals the correlation between the collection efficiency and location of quantum well inside the depletion region. The defects producing bright EBIC contrast are revealed in the structure with 5 quantum wells. This contrast is associated with defects locally decreasing the excess carrier recombination inside quantum wells. PACS: 63.37.HK, 72.80.Ey, 73.21.Fg

S.C. Jain, M. Willander, J. Narayan. J. Appl. Phys., 87, 965 (2000)
S.J. Rosner, E.C. Carr, M.J. Ludowise, G. Girolami, H.I. Eriksonet. Appl. Phys. Lett., 70, 420 (1997)
T. Sugahara, H. Sato, M. Hao, Y. Naoi, S. Kurai, S. Tottori, K. Yamashita, K. Nishino, L.T. Romano, S. Sakai. Jpn. J. Appl. Phys., 37, L398 (1998)
M. Albrecht, A. Cremades, J. Krinke, S. Christiansen, O. Ambacher, J. Piqueras, H.P. Strunk, M. Stutzmann. Phys. Status Solidi B, 216, 409 (1999)
D. Cherns, S.J. Henley, F.A. Ponce. Appl. Phys. Lett., 78, 2691 (2001)
E.B. Yakimov. J. Phys.: Condens. Matter, 14, 13 069 (2002)
N.M. Shmidt, V.V. Sirotkin, A.S. Usikov, E.B. Yakimov, E.E. Zavarin. Inst. Phys. Conf. Ser. No 180, ed. by A.G. Cullis, P.A. Midgley (2003) p. 597
N.M. Shmidt, O.A. Soltanovich, A.S. Usikov, E.B. Yakimov, E.E. Zavarin. J. Phys.: Condens. Matter, 14, 13 285 (2002)
N.M. Shmidt, E.B. Yakimov. Proc. 13th Int. Conf. " Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Ioffe Institute, 2005) p. 300
V.G. Eremenko, E.B. Yakimov. Eur. Phys. J., Appl. Phys., 27, 349 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель