Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Атомные дефекты стенок и электронное строение нанотрубок дисульфида молибдена

Еняшин А.Н.¹, Ивановский А.Л.¹

¹Институт химии твердого тела Уральского oтделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия Institute of Solid State Chemistry, Russian Academy of Sciences, Ural Branch, Yekaterinburg, Russia

Institute of Solid State Chemistry, Russian Academy of Sciences, Ural Branch, Yekaterinburg, Russia

Поступила в редакцию: 23 января 2006 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2006 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Зонным методом функционала зарядовой плотности-сильной связи впервые изучено влияние различных типов атомных дефектов стенок нанотрубок MoS₂ на их структурные и электронные свойства. Обнаружено, что возникновение в стенках MoS₂ трубок атомных дефектов может обусловить переходы полупроводник-металл. PACS: 61.46.+w, 73.22.-f, 73.63.Fg, 81.07.De

M. Law, J. Goldberger, P. Yang. Ann. Rev. Mater. Res., 34, 83 (2004)
T. Durkop, B.M. Kim, M.S. Fuhrer. J. Phys.: Condens. Matter., 16, R553 (2004)
P.J.F. Harris. Carbon Nanotubes and Related Structures: New Materials for the Twenty-first Century (Cambridge, Cambridge University Press, 1999)
R. Tenne. Chem.--Eur. J., 8, 5297 (2002)
А.Л. Ивановский. Успехи химии, 71, 203 (2002)
R. Tenne, C.N.R. Rao. Phil. Trans., Royal Soc. (London), A362, 2099 (2004)
G. Seifert, H. Terrones, M. Terrones, S. Jungnickel, T. Frauenheim. Phys. Rev. Lett., 85, 146 (2000)
G. Seifert, T. Kohler, R. Tenne. J. Phys. Chem., B106, 2497 (2002)
C. Reza-San German, P. Santiago, J.A. Ascencio, U. Pal, M. Perez-Alvarez, L. Rendon, D. Mendoza. J. Phys. Chem., B109, 17 488 (2005)
G. Seifert, H. Terrones, M. Terrones, S. Jungnickel, T. Frauenheim. Sol. St. Commun., 114, 245 (2000)
V.V. Ivanovskaya, G. Seifert. Sol. St. Commun., 130, 175 (2004)
В.В. Ивановская, Г. Зайферт, А.Л. Ивановский. ФТП, 39, 1093 (2005)
V.V. Ivanovskaya, A.N. Enyashin, N.I. Medvedeva, Yu.N. Makurin, A.L. Ivanovskii. Internet Electron. J. Molecular Desing, 2, 499 (2003)
Г.В. Самсонов, И.В. Виницкий. Тугоплавкие соединения (Справочник) (М., Металлургия, 1976)
D. Porezag, Th. Frauenchaim, Th. Kohler, G. Seifert, R. Kascher. Phys. Rev. B, 51, 12 947 (1995)
V.A. Gubanov, A.L. Ivanovskii, V.P. Zhukov. Electronic Structure of Refractory Carbides and Nitrides (Cambridge University Press, Second Edition, 2005)
L. Rapoport, N. Fleischer, R. Tenne. J. Mater. Chem., 15, 1782 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель