"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрофизические свойства облученного протонами ZnSiAs2
Брудный В.Н.1, Ведерникова Т.В.1
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 22 марта 2006 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2006 г.

Исследованы электрофизические свойства p-ZnSiAs2, облученного протонами (энергия E=5 МэВ, доза D=< 2·1017 см-2). Из экспериментальных и расчетных данных оценено положение предельного уровня Ферми в облученном материале (середина запрещенной зоны Eg/2). В интервале температур 20-610oC проанализирована термическая стабильность радиационных дефектов. PACS: 61,80.Jh, 73.61.Le
  • А.С. Борщевский, А.А. Вайполин, Ю.А. Валов и др. В кн.: Полупроводники A-=SUP=-2-=/SUP=-B-=SUP=-4-=/SUP=-C-=SUP=-5-=/SUP=--=SUB=-2-=/SUB=-, под ред. Н.А. Горюновой, Ю.А. Валова (Л., Сов. радио, 1974)
  • V.N. Brudnyi, M.A. Krivov, A.I. Potapov, A. Mamedov, V.D. Prochukhan, Yu.V. Rud. Rad. Eff., 59 (3/4), 211 (1982)
  • В.Н. Брудный, А.И. Потапов. ФТП, 35 (12), 1423 (2001)
  • V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, N.G. Kolin. Physica B: Condens. Matter, 348 (1--4), 213 (2004)
  • D.J. Chadi, M.L. Cohen. Phys. Rev., 8 (12), 5747 (1973)
  • P.J. Lin-Chung. Phys. Status Solidi B, 85 (2), 743 (1978)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.