"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Накопление структурных нарушений в кремнии при облучении кластерными ионами PF+n средних энергий
Азаров А.Ю.1, Титов А.И.2
1Государственное унитарное научно-производственное предприятие "Электрон-Оптроник", Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 апреля 2006 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2006 г.

С помощью метода спектрометрии резерфордовского обратного рассеяния в сочетании с каналированием исследовано накопление структурных нарушений в кремнии при комнатной температуре под воздействием облучения атомарными ионами P+, F+, а также кластерными ионами PF+n (n=1... 4) с энергией 2.1 кэВ/а.е.м. и одинаковой скоростью генерации первичных дефектов. Предложены условия для корректного сравнения результатов бомбардировки атомарными и кластерными ионами, состоящими из атомов разного типа. Обнаружено, что характер накопления структурных нарушений в кремнии в случае бомбардировки ионами PF+n существенно отличается от наблюдаемого как при облучении атомарными ионами, составляющими кластерный ион (P+ и F+), так и при бомбардировке атомарными тяжелыми ионами, имеющих атомную массу, близкую к массе кластеров PF+n. Показано, что в эквивалентных условиях облучения кластерные ионы в приповерхностной области производят значительно большее количество нарушений, чем атомарные, т. е. наблюдается молекулярный эффект. Рассмотрены возможные механизмы данного явления. PACS: 61.72.Tt, 61.80.Lj, 61.80.-x, 68.55.Ln
  1. D.A. Thompson. Rad. Eff., 56, 105 (1981)
  2. J.A. Davies. In: Ion Implantation and Beam Processing, ed. by J.S. Williams, J.M. Poate (Academic Press, 1984)
  3. I. Yamada, W.L. Brown, J.A. Norhby, M. Sosnowski. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 79, 223 (1993)
  4. P. Sigmund, I.S. Bitensky, J. Jensen. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 112, 1 (1996)
  5. S. Ihara, S. Itoh, J. Kitakami. Phys. Rev. B, 58, 10 736 (1998)
  6. A.I. Titov, S.O. Kucheyev. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 149, 129 (1999)
  7. N.R. Arista. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 164-165, 108 (2000)
  8. S.O. Kucheyev, J.S. Williams, A.I. Titov, G. Li, C. Jagadish. Appl. Phys. Lett., 78, 2694 (2001)
  9. K. Kimura, Y. Oota, K. Nakajima, M. Suzuki, T. Aoki, J. Matsuo, A. Agarwal, B. Freer, A. Stevenson, M. Ameen. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 211, 206 (2003)
  10. J. Peltola, K. Nordlund. Phys. Rev. B, 68, 035 419 (2003)
  11. R.D. Rickman, S.V. Verkhoturov, E.S. Parilis, E.A. Schweikert. Phys. Rev. Lett., 92, 047 601 (2004)
  12. S. Bouneau, S. Della Negra, D. Jacquet, Y. Le Beyec, M. Pautrat, M.H. Shapiro, T.A. Tombrello. Phys. Rev. B, 71, 174 110 (2005)
  13. A.I. Titov, V.S. Belyakov, S.O. Kucheyev. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 194, 323 (2002)
  14. E. Chason, S.T. Picraux, J.M. Poate, J.O. Borland, M.I. Current, T. Diaz de la Rubia, D.J. Eaglesham, O.W. Holland, M.E. Holland, M.E. Law, C.W. Magee, J.W. Mayer, J. Melngailis, A.F. Tasch. J. Appl. Phys., 81, 6513 (1997)
  15. International Technology Roadmap for Semiconductors 2005. http://public.itrs.net
  16. H. Shen, C. Brink, P. Hvelplund, S. Shiryaev, P.X. Shi, J.A. Davies. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 129, 203 (1997)
  17. Li Xiaoqin, Lin Chenglu, Yang Genqin, Zhou Zuyao, Zou Shichang. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 55, 589 (1991)
  18. J.A. Davies, G. Foti, L.M. Howe, J.B. Mitchell, K.B. Winterbon. Phys. Rev. Lett., 34, 1441 (1975)
  19. A. Grob, J.J. Grob, A. Golanski. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 19/20, 55 (1987)
  20. W.K. Chu, J.W. Mayer, M.A. Nicolet. Backscattering spectrometry (N. Y., Academic Press, 1978)
  21. K. Schmid. Rad. Eff., 17, 201 (1973)
  22. A.I. Titov, G. Carter. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 119, 491 (1996)
  23. J.P. Biersack, L.G. Haggmark. Nucl. Instrum. Meth., 174, 257 (1980)
  24. J.J. Loferski, P. Rappaport. Phys. Rev., 111, 432 (1958)
  25. D.I. Tetelbaum, E.I. Zorin, A.I. Gerasimov, P.V. Pavlov. Phys. Status Solidi A, 12, 679 (1972)
  26. A.Agarwal, T. Haynes, D.J. Eaglesham, H.-J. Gossman, D.C. Jacobson, J.M. Poate, Y.E. Erokhin. Appl. Phys. Lett., 70, 3332 (1997)
  27. И.А. Аброян, А.Н. Андронов, А.И. Титов. Физические основы электронной и ионной технологии (М., Высш. шк., 1984) с. 317
  28. J.A. Brinkman. J. Appl. Phys., 25, 961 (1954)
  29. R.S. Walker, D.A. Thompson. Rad. Eff., 37, 113 (1978)
  30. А.Ю. Азаров, Л.М. Никулина, А.И. Титов. Тез. докл. 7-го Всеросс. сем. "Физические и физико-химические основы ионной имплантации" (Нижний Новгород, 2004) с. 70
  31. A.Yu. Azarov, A.I. Titov, L.M. Nikulina. Тр. 17-й Межд. конф. "Взаимодействие ионов с поверхностью", ВИП-2005 (Звенигород 2005) т. 2, с. 40
  32. A.I. Titov, A.Yu. Azarov, L.M. Nikulina, S.O. Kucheyev. Phys. Rev. B, 73, 064 111 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.