Используя адиабатическое приближение, сделана оценка коэффициента захвата электронов зоны проводимости на уровни A₂^-2 вакансий ртути в полупроводниках HgCdTe с шириной запрещенной зоны более ~100 мэВ (с долей Cd в растворе x>0.2). Показано, что захват электронов на вакансии существенно подавляется с ростом доли кадмия. Например, низкотемпературный коэффициент захвата уменьшается с ~ 10^-8 см³·с^-1 при x=0.21 до ~10^-12 см³·с^-1 при x=0.25. Низкий темп захвата электронов в широкозонных слоях HgCdTe обусловлен главным образом значительной удаленностью уровней вакансии ртути от дна зоны проводимости, а также умеренно слабой электрон-фононной связью локализованных на вакансиях электронов (фактор Хуанга-Рис S<0.5). Ключевые слова: глубокие дефекты, вакансии ртути, HgCdTe, многофононный захват электронов, адиабатическое приближение.