В рамках численной модели газофазной диффузии исследовано влияние формы (квадрат, круг, ромб) и размера (2-10 мкм) масок на пространственное распределение скорости роста слоев GaAs, полученных методом МОС-гидридной селективной эпитаксии. Установлено, что для масок с окнами квадратной формы возрастание скорости роста изменяется по периметру неоднородно: минимально в центре стороны квадрата и возрастает при движении к вершинам квадрата, при этом максимальная разница достигает 2.4 %. Снижение разницы возрастания скорости роста для окна квадратной формы может быть обеспечено за счет использования маски в форме ромба. Использование масок с окнами круглой формы обеспечивает минимальное изменение возрастания скорости роста при смещении от центра к краю, при этом скорость роста однородна по всему периметру. Показано, что наименьшее изменение возрастания скорости роста между центром окна и краем наблюдается при минимальных значениях ширин маски-окна и равно 0.328 % для маски круглой формы. Ключевые слова: модель, газофазная диффузия, селективная эпитаксия, прирост скорости роста, окна, маска.