"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Перенос носителей заряда в структуре с кремниевыми нанокристаллами, внедренными в оксидную матрицу
Рябчиков Ю.В.1, Форш П.А.1, Лебедев Э.А.2, Тимошенко В.Ю.1, Кашкаров П.К.1, Kamenev B.V.3, Tsybeskov L.3
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Department of Electrical and Computer Engineering, New Jersey Institute of Technology,, Newark, New Jersey, USA
Поступила в редакцию: 11 января 2006 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2006 г.

Исследованы в широком температурном интервале вольт-амперные характеристики структур Al/SiO2/c-Si с кремниевыми нанокристаллами (nc-Si) в оксидном слое. Выполненный на основе полученных экспериментальных данных анализ показал, что наиболее вероятным механизмом переноса носителей заряда в таких структурах является термоактивированное туннелирование через электронные состояния в nc-Si. PACS: 73.60.Bd; 72.80.Jc; 73.40.Gk.
  1. F. Koch, V. Petrova-Koch. J. Non-Cryst. Sol., 198-- 200, 840 (1996)
  2. H. Hanafi, S. Tiwari, I. Khan. IEEE Trans. Electron Dev., 43 (9), 1553 (1996)
  3. S. Tiwari, F. Rana, H. Hanafi, A. Hartstein, E.F. Crabbe, K. Chan. Appl. Phys. Lett., 68, 1377 (1996)
  4. I. Kim, H. Han, H. Kim, J. Lee, B. Choi, S. Hwang, D. Ahn, H. Shin. Proc. IEDM Conf. (USA, 1998) v. 98, p. 111
  5. M.L. Brongersma, A. Polman, K.S. Min, E. Boer, T. Tambo, H.A. Atwater. Appl. Phys. Lett., 72, 2577 (1998)
  6. K.S. Zhuravlev, A.M. Gilinsky, A.Yu. Kobitsky. Appl. Phys. Lett., 73, 2962 (1998)
  7. T. Shimizu-Iwayama, D.E. Hole, I.W. Boyd. J. Phys.: Condens. Matter, 11, 6595 (1999)
  8. L. Tsybeskov, G.F. Grom, R. Krishnan, L. Montes, P.M. Fauchet, D. Kovalev, J. Diener, V. Timoshenko, F. Koch, J.P. McCaffrey, J.-M. Baribeau, G.I. Sproule, D.J. Lockwood, Y.M. Niquet, C. Delerue, G. Allan. Europhys. Lett., 55, 552 (2001)
  9. Y. Fu, M. Willander, A. Dutta, S. Oda. Superlatt. Microstruct., 28, 177 (2000)
  10. T. Baron, P. Gentile, N. Magnea, P. Mur. Appl. Phys. Lett., 79, 1175 (2001)
  11. Y. Inoue, A. Tanaka, M. Fujii, S. Hayashi, K. Yamamoto. J. Appl. Phys., 92, 3199 (1999)
  12. L. Tsybeskov, K.D. Hirschman, S.P. Duttagupta, M. Zacharias, P.M. Fauchetd, J.P. McCaffrey, D.J. Lockwood. Appl. Phys. Lett., 72, 43 (1998)
  13. А. Роуз. Основы теории фотопроводимости (М., Мир, 1966)
  14. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1974)
  15. M.H. Cohen. J. Non-Cryst. Solids, 2, 432 (1970); J. Non-Cryst. Sol., 4, 391 (1970)
  16. B. De Salvo, P. Luthereau, T. Baron, G. Ghibaudo, F. Martin, D. Fraboulet, G. Reimbold, J. Gautier. Microelectronics Reliability, 40, 863 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.