Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Выявление условий формирования глубоких состояний дислокаций несоответствия и DX-центров в гетероэпитаксиальных слаболегированных AlxGa1-xAs1-ySby/GaAs-слоях
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: m.sobolev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 15 мая 2025 г.
В окончательной редакции: 1 июля 2025 г.
Принята к печати: 4 июля 2025 г.
Выставление онлайн: 10 августа 2025 г.
Методами вольт-фарадных характеристик и нестационарной спектроскопии глубоких уровней исследованы высоковольтные плавные p0-i-n0-переходы AlxGa1-xAs и AlxGa1-xAs1-ySby с максимальным содержанием x от 0.15 до 0.6 и y до 0.02, полученные методом жидкофазной эпитаксии за счет автолегирования фоновыми примесями. Установлено, что эффективной рекомбинационной ловушкой в гетероэпитаксиальных слоях AlxGa1-xAs/GaAs и AlxGa1-xAs1-ySby/GaAs с x более 0.23, независимо от содержания сурьмы, является DX-центр фоновых донорных примесей Si, Se или Te, при этом в данных гетероструктурах отсутствовали глубокие уровни, связанные с дислокациями. В гетероструктурах AlxGa1-xAs1-ySby/GaAs с x~0.15-0.19 и y~0.02 и GaAs1-ySby/GaAs с y~0.02 эффективной рекомбинационной ловушкой является глубокий уровень HD3, связанный с дислокациями несоответствия. Ключевые слова: AlGaAsSb, p0-i-n0-переход, емкостная спектроскопия, DLTS, DX-центр, дислокации несоответствия, жидкофазная эпитаксия.
- М.М. Соболев, Ф.Ю. Солдатенков. ФТП, 57 (8), 644 (2023)
- Ф.Ю. Солдатенков, М.М. Соболев, А.С. Власов, А.В. Рожков, Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 7, 19 (2024). DOI: https://doi.org/10.31857/S1028096024070037
- Ф.Ю. Солдатенков, В.Г. Данильченко, В.И. Корольков. ФТП, 41 (2), 217 (2007)
- M.M. Sobolev, F.Y. Soldatenkov, L. Shul'pina. J. Appl. Phys., 123, 161588 (2018). DOI: 10.1063/1.5011297
- M.M. Sobolev, F.Y. Soldatenkov, V.G. Danil`chenko. J. Appl. Phys., 128 (9), 095705 (2020). https://doi.org/10.1063/5.0018317
- T. Wosinski. J. Appl. Phys., 65 (4), 1566 (1989)
- T. Wosinski, O. Yastrubchak, A. Makosa, T. Figielski. J. Phys.: Condens. Mater., 12 (49), 10153 (2000). DOI: 10.1088/0953-8984/12/49/314
- O. Yastrubchak, T. Wosinski, A. Makosa, T. Figielski, S. Porowski, I. Grzegory, R. Czernecki, P. Perlin. Eur. Phys. J.: Appl. Phys., 27, 201 (2004). https://doi.org/10.1051/epjap:2004139
- D.J. Chadi, K.J. Chang. Phys. Rev. B, 39, 10063 (1989). DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.39.10063
- W.Y.-S. Su, V.C.-P. Lu, C.-B. Wu, J.-Sh. Wang, J.-L. Shen, K.-Ch. Chiu. Scientific Rep., 10, 12503 (2020). DOI: https://doi.org/10.1038/s41598-020-69153-1
- M. Anbinderis, S. Av smontas, A. v Cerv skus, J. Gradauskas, A. Luv cun, A. v Silenas, A. Suv ziedelis. Sensors, 21 (13), 4487 (2021). DOI: https://doi.org/10.3390/s21134487
- D.V. Lang, R.A. Logan, M. Jaros. Phys. Rev. B, 19, 1015 (1979). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.19.1015
- L. Dobaczewski, P. Kaczor. Phys. Rev. B, 44, 8621 (1991). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.44.8621
- P. Nubile, M. Zazoui, J.C. Bourgoin, R. Grey, A.L. Powell, P.A. Claxton, P.I. Rockett. J. Appl. Phys., 72 (8),3 530 (1992)
- M.M. Sobolev, A.R. Kovsh, V.V. Ustinov, A.Y. Egorov, A.E. Zhukov, Y.G. Musikhin. J. Electron. Mater., 28, 491 (1999)
- D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
- М.М. Соболев, П.Р. Брунков, С.Г. Конников, М.Н. Степанова, В.Г. Никитин, В.П. Улин, А.Ш. Долбая, Т.Д. Камушадзе, Р.M. Майсурадзе. ФТП, 25 (6), 1058 (1989)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
