Исследование направлено на оптимизацию дизайна гетероструктуры полупроводниковых лазеров на основе гетероструктур InGaAsP/InP, излучающих в безопасном для глаз диапазоне на длине волны 1.55 мкм в импульсном режиме. Исследования проводились в рамках разработанной двумерной модели лазерного диода, учитывающей дрейф-диффузионный транспорт носителей заряда в направлении, перпендикулярном слоям гетероструктуры и неоднородное распределение фотонов вдоль оси резонатора. Для модельных лазерных диодов с шириной излучающей апертуры 100 мкм исследовались основные механизмы потерь, а также их влияние на выходную оптическую мощность при импульсном токе накачки 150 А. В работе проводилась многопараметрическая оптимизация, учитывающая влияние ширины запрещенной зоны и толщины волновода, а также положение активной области в волноводном слое. Установлена сильная зависимость оптимальной ширины волновода от его ширины запрещенной зоны, а также оптимальная ширина запрещенной зоны, обеспечивающая баланс между основными механизмами ограничения мощности. Показано, что независимо от прочих параметров предпочтительно расположение активной области вблизи p-эмиттера. Ключевые слова: полупроводниковый лазер, ток утечки, потери на свободных носителях заряда, дрейф-диффузионный транспорт, лазерный диод.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.