"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Рентгенодифракционные и электронно-микроскопические исследования влияния gamma-излучения на многослойные гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs
Бобыль А.В.1, Гуткин А.А.1, Брунков П.Н.1, Заморянская И.А.1, Яговкина М.А.1, Мусихин Ю.Г.1, Саксеев Д.А.1, Конников С.Г.1, Малеев Н.А.1, Устинов В.М.1, Копьёв П.С.1, Пунин В.Т.2, Илькаев Р.И.2, Алфёров Ж.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Российский федеральный ядерный центр ВНИИЭФ, Саров, Россия
Поступила в редакцию: 22 ноября 2005 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2006 г.

Исследовано влияние gamma-излучения на структурные изменения в транзисторных многослойных гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs. С помощью рентгенодифракционных измерений и просвечивающей электронной микроскопии установлено, что при gamma-облучении с дозой выше ~3· 107 рад начинает происходить разрушение слоя GaAs, находящегося на поверхноcти таких структур. При дозе облучения 108 рад планарность поверхности значительно ухудшается и ее шероховатость достигает нескольких нанометров. Кроме того, в приповерхностном слое структуры под воздействием gamma-облучения наблюдается образование дислокаций. Причина такого поведения поверхностного слоя может быть связана с существованием слоя окисла на его свободной поверхности и с возможными, индуцируемыми gamma-облучением, химическими реакциями между атомами слоя и свободными радикалами, образующимися в окисле и в окружающей атмосфере. Заметных изменений структуры и состава тонкого слоя канала InGaAs при дозах до 108 рад не происходит. PACS: 61.80.Cb, 68.35.Ct, 68.37.Lp, 68.55.Jk, 81.40.Wx
  1. A. Simono, I. Debusschere, A. Alaerts, C. Claeys. IEEE Trans. Nucl. Sci., 39, 1964 (1992)
  2. А.В. Бобыль, Р.В. Конакова, В.К. Кононов, В.Г. Малинин, М.М. Малышев, И.В. Прокопенко, М.И. Слуцкий, Ю.А. Тхорик. Электрон. техн. Сер. Управление качеством, N 4(151)--5(152), 31 (1992)
  3. R.L. Pease. IEEE Trans. Nucl. Sci., 50, 539 (2003)
  4. Todd R. Weatherford. IEEE Trans. Nucl. Sci., 50, 704 (2003)
  5. M.J. O'Laughlin. IEEE Trans. Nucl. Sci., 35, 1808 (1987)
  6. A.A. Belyaev, A.E. Belyaev, R.V. Konakova, S.A. Vitusevich, V.V. Milenin, E.A. Soloviev, L.N. Kravchenko, T. Figelski, T. Wosinski, A. Makosa. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 2, 98 (1999)
  7. B.D. White, M. Bataiev, S.H. Goss, X. Hu, A. Karmarker, D.M. Fleetwood, R.D. Schrimpf, W.J. Schaff, L.J. Brillson. IEEE Trans. Nucl. Sci., 50, 1934 (2003)
  8. О.Ю. Борковская, Н.Л. Дмитрук, И.Б. Ермолович, Р.В. Конакова, В.В. Миленин. ЖТФ, 74, 44 (2004)
  9. Д.К. Боуэн, Б.К. Таннер. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография (СПб., Наука, 2002)
  10. А.В. Бобыль, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, А.М. Минтаиров, В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 16, 90 (1990).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.