"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Излучательное время жизни электронов и дырок в тонком слое полупроводника
Пипа В.И.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 27 сентября 2005 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2006 г.

Вычислено излучательное время жизни невырожденных электронов и дырок, однородно распределенных в полупроводниковом слое, который расположен на подложке или ограничен двумя диэлектрическими средами. Полученное выражение учитывает эффекты перепоглощения и интерференции излучения и определяет зависимости излучательного времени жизни от показателей преломления внешних сред и от толщины слоя. PACS: 78.20.Bh, 78.20.Ci, 78.55.-m
  1. E.M. Purcell. Phys. Rev., 69, 681 (1946)
  2. Н.А. Власенко, С.И. Пекар, В.С. Пекар. ЖЭТФ, 64, 371 (1973)
  3. В.В. Климов, М. Дюклуа, В.С. Летохов. Квант. электрон., 31, 569 (2001)
  4. W. van Roosbrook, W. Shockley. Phys. Rev., 94, 1558 (1954)
  5. R.G. Humphreys. Infr. Phys., 23, 171 (1983); Infr. Phys., 26, 377 (1986)
  6. E. Yablonovitch, T.J. Gmitter, R. Bhat. Phys. Rev. Lett., 61, 2546 (1988)
  7. H.P. Urbach, G.L.J.A. Rikken. Phys. Rev. A, 57, 3913 (1998)
  8. К.Ю. Гуга, А.Г. Коллюх, А.И. Липтуга, В.А. Мороженко, В.И. Пипа. ФТП, 38, 524 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.