"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесценция в поликристаллических слоях Pb1-xCdxSe, активированных в присутствии паров йода
Гамарц А.Е.1, Мошников В.А.1, Чеснокова Д.Б.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 ноября 2005 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2006 г.

Проведены исследования фотолюминесценции в окисленных в присутствии паров йода поликристаллических слоях Pb1-xCdxSe. Показано, что в таких структурах излучательная рекомбинация определяется прямыми межзонными переходами и переходами на глубокий уровень при наличии варизонности в объеме кристаллитов. Последнее способствует существенному увеличению интенсивности люминесценции. PACS: 78.55.Hx, 78.66.Li
  1. Е.М. Гамарц, В.А. Крылов. Петербургский журн. электроники, N 1, 54 (2004)
  2. С.В. Непомнящий, А.В. Пашкевич, Ю.Л. Шелехин, Л.К. Дийков. ФТП, 18, 2233 (1984)
  3. Ф. Галески, И.А. Дрозд, Л.Я. Лебедева, В.П. Тен, А.Э. Юнович. ФТП, 11, 568 (1977)
  4. Г.А. Калюжная, К.В. Киселева. Тр. ФИАН, 177, 5 (1987)
  5. З.Ф. Томашик, Г.С. Олейник, В.Н. Томашик. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 16, 261 (1980)
  6. Е.М. Гамарц, Н.В. Голубченко, В.А. Мошников. Д.Б. Чеснокова. Петербургский журн. электроники, N 4, 11 (2003)
  7. C.И. Золотов, Н.Б. Трофимова, А.Э. Юнович. ФТП, 18, 631 (1984)
  8. С.И. Золотов. ФТП, 19, 1822 (1985)
  9. С.А. Олеск, А.Н. Пихтин, А.Э. Юнович. ФТП, 24, 795 (1990)
  10. Н.П. Анисимова, Т.Р. Глобус, Л.К. Дийков, Ю.В. Калинин, Т.Г. Николаева, А.О. Олеск. ФТП, 17, 534 (1973)
  11. G. Lukovsky. Solid State Commun., 3 (9), 299 (1965)
  12. А.Г. Роках, Н.Б. Трофимова. ЖТФ, 71 (7), 140 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.