"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электролюминесценция в пористом кремнии при обратном смещении барьера Шоттки
Берашевич Ю.А.1, Лазарук С.К.1, Борисенко В.Е.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 18 марта 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

Предложена модель электролюминесценции, возникающей в структуре металл/пористый кремний при обратном смещении образующегося барьера Шоттки. Модель учитывает лавинное умножение горячих носителей заряда и безызлучательную оже-рекомбинацию в пористом кремнии. Установлено, что различие в закономерностях возрастания электронного и дырочного тока за счет генерации неосновных носителей заряда при лавинном умножении горячих электронов ведет к сверхлинейному росту интенсивности излучательной рекомбинации от тока. В режиме лавинного пробоя происходит снижение эффективности излучательной рекомбинации за счет увеличения вклада оже-процессов. Показано, что одним из основных путей увеличения эффективности электролюминесценции пористого кремния является увеличение в нем концентрации нанокристаллитов. PACS: 78.60.Fi, 81.40.Tv, 61.43.Gt, 73.40.Ns
  1. L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
  2. A.D. Yoffe. Adv. Phys., 42, 173 (1993)
  3. D.J. Lokwood, Z.H. Liu, J.M. Baribeau. Phys. Rev. Lett., 76, 539 (1996)
  4. F. Bassani, L. Vervoot, I. Mihalescu, J.C. Vial, F. Amaud d'Avitaya. J. Appl. Phys., 79, 4066 (1996)
  5. Ю.А. Берашевич, Б.В. Каменев, В.Е. Борисенко. ФТП, 36, 221 (2002)
  6. S. Lazarouk, P. Jaguiro, S. Katsouba, G. Masini, S. La Monica, G. Maiello, A. Ferrari. Appl. Phys. Lett., 68, 2108 (1996)
  7. A.G. Cullis, L.T. Canham, D.J. Catcott. J. Appl. Phys., 82, 909 (1997)
  8. B. Gelloz, N. Koshida. J. Appl. Phys., 88, 4319 (2000)
  9. S. Lazarouk. Towards the First Silicon Laser (Kluwer Academic Publishers, 2003) p. 61
  10. С.К. Лазарук, П.В. Жагиро, С.М. Мельников, А.П. Прохоренко. Изв. Белорус. инж. акад., N 9, 69 (2000)
  11. M. Balucani, S. La Monica, S. Lazarouk et al. Sol. St. Phenomena, 54, 8 (1997)
  12. J.A. Berashevich, A.L. Danilyuk, A.N. Kholod, V.E. Borisenko. Mater. Sci. Eng. B, 101, 111 (2003)
  13. S. Lazarouk, S. Katsouba, A. Tomlinson, S. Benedetti, C. Mazzoleni, V. Mulloni, G. Mariotto, L. Pavesi. Mater. Sci. Eng. B, 69-70, 114 (2000)
  14. Properties of Porous Silicon, ed. by L. Canham (London, INSPEC, 1997) p. 405
  15. М.И. Векслер, И.В. Грехов, А.Ф. Шулекин. ФТП, 34, 803 (2000)
  16. Y. Wang, K.F. Brennan. J. Appl. Phys., 75, 313 (1994)
  17. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) с. 450
  18. В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990) с. 232

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.