"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности формирования островков Ge(Si) на релаксированных буферных слоях Si1-xGex/Si (001)
Востоков Н.В.1, Дроздов Ю.Н.1, Красильник З.Ф.1, Кузнецов О.А.2, Лобанов Д.Н1, Новиков А.В.1, Шалеев М.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 31 мая 2005 г.
Выставление онлайн: 20 января 2006 г.

Представлены результаты исследования роста самоформирующихся островков Ge(Si), выращенных на релаксированных буферных слоях Si1-xGex/Si (001) (x~25%) с малой шероховатостью поверхности. Показано, что рост самоформирующихся островков на буферных слоях SiGe качественно аналогичен росту островков на Si (001). Обнаружено, что изменение морфологии поверхности (переход от dome- к hut-островкам) в случае роста островков на релаксированных буферных слоях SiGe происходит при большей температуре, чем для островков Ge(Si)/Si (001). Причинами этого могут быть как меньшее рассогласование кристаллических решеток островка и буферного слоя, так и несколько большая поверхностная плотность островков при их росте на буфере SiGe. PACS: 68.65.Hb, 68.55.Ac, 68.55.Jk
  1. D.J. Paul. Semicond. Sci. Technol., 19, R75 (2004)
  2. H.G. Grimmeiss. ФТП, 33 (9), 1032 (1999)
  3. F. Schaffler. Semicond. Sci. Technol., 12, 1515 (1997)
  4. L. Diehl, S. Mentese, E. Muller, D. Grutzmacher, H. Sigg, U. Gennser, I. Sagnes, Y. Campidelli, O. Kermarrec, D. Bensahel, J. Faist. Appl. Phys. Lett., 81, 4700 (2000)
  5. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, В.В. Кириенко, А.И. Никифоров. ФТТ, 47 (1), 37 (2005)
  6. K. Brunner. Rep. Progr. Phys., 65, 27 (2002)
  7. J. Stangl, V. Hol\`y, G. Bauer. Rev. Mod. Phys., 76, 725 (2004)
  8. J.L. Liu, S. Tong, Y.H. Luo, J. Wan, K.L. Wang. Appl. Phys. Lett., 79, 3431 (2001)
  9. M.A. Lutz, R.M. Feenstra, F.K. LeGoues, P.M. Money, J.O. Chu. Appl. Phys. Lett., 66, 724 (1995)
  10. A.I. Yakimov, N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, A.V. Nenashev. Semicond. Sci. Technol., 15, 1125 (2000)
  11. Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, О.А. Кузнецов, З.Ф. Красильник, А.В. Новиков, В.А. Перевозщиков, М.В. Шалеев. ФТТ, 47 (1), 44 (2005)
  12. K. Sawano, K. Kawaguchi, T. Ueno, S. Koh, K. Nakagawa, Y. Shiraki. Mater. Sci. Eng. B, 89, 406 (2002)
  13. В.А. Перевощиков, В.Д. Скупов. Особенности абразивной и химической обработки поверхности полупроводников (Н. Новгород, Изд-во ННГУ, 1992) с. 198
  14. O.G. Schmidt, C. Lange, K. Eberl. Phys. Status Solidi B, 215, 319 (1999)
  15. Н.В. Востоков, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, М.В. Шалеев, А.Н. Яблонский. ФТТ, 46 (1), 63 (2004)
  16. M. Kastner, B. Voigtlander. Phys. Rev. Lett., 82, 2745 (1999)
  17. F.M. Ross, J. Tersoff, R.M. Tromp. Phys. Rev. Lett., 80, 984 (1998)
  18. J.A. Floro, G.A. Lucadamo, E. Chason, L.B. Freund, M. Sinclair, R.D. Twesten, R.Q. Hwang. Phys. Rev. Lett., 80, 4717 (1998)
  19. Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, А.Н. Яблонский. Письма ЖЭТФ, 76, 365 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.