[!t] = [scale=0.85]carenk.eps Борис Васильевич Царенков - известный физик, специалист в области физики и техники полупроводников и полупроводниковой электроники. В этом году ему исполнилось 75 лет. Он окончил в 1954 году Ленинградский электротехнический институт (ЛЭТИ). В том же году он поступил работать в лабораторию проф. Д. Н. Наследова в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе АН СССР, и с тех пор вся его жизнь в науке связана с Физтехом. Начало его работы в этом институте совпало с временем становления полупроводниковых соединений A^IIIB^V - тогда нового класса материалов твердотельной электроники. Б. В. Царенков внес значительный вклад в понимание и развитие научных представлений о свойствах этих материалов. Он явился основоположником создания и исследования в СССР p-n структур на основе полупроводников A^IIIB^V. Так, при его участии была создана первая в стране p-n структура на основе GaAs (1956 г.). В последующем под его руководством были изготовлены солнечный фотоэлектропреобразователь (1957 г.) и первый светодиод (1962 г.). Главный результат работ Б В. Царенкова этих лет - открытие им совместно с Д. Н. Наследовым, А. А. Рогачевым и С. М. Рывкиным высокоэффективной излучательной рекомбинации и стимулированного излучения в полупроводнике (1962 г.), что привело к созданию полупроводникового лазера на основе GaAs, а в дальнейшем - к люминесцентной электронике полупроводников. В 1965 г. Б. В. Царенков разработал диффузионную технологию p-n-структур на основе GaAs и GaP. Он является автором первого отечественного изобретения по жидкофазной эпитаксии полупроводников A^IIIB^V, что положило начало широкому использованию этой технологии в СССР. Под его научным руководством в 60-е годы на заводе "Старт" было организовано первое в стране промышленное производство светодиодов и полупроводниковых лазеров. В последующие годы Б. В. Царенков с сотрудниками выполнил фундаментальные исследования электронных и оптоэлектронных явлений в оригинальных варизонных структурах. Многие его ученики (более 35 кандидатов, 8 докторов наук и сотни бывших студентов) успешно трудятся на пользу отечественной и мировой науки. Выпускники базовой кафедры оптоэлектроники ЛЭТИ с любовью и теплотой вспоминают лекции и общение со своим Учителем - Б. В. Царенковым, профессором этой кафедры. Он длительное время работал в составе редакционной коллегии нашего журнала. Б. В. Царенков - лауреат Ленинской премии (1964 г.) за участие в фундаментальных исследованиях, приведших к созданию полупроводниковых лазеров. Его работы отмечены медалями ВДНХ разного достоинства. В настоящее время Б. В. Царенков живет в США, но он в курсе всех событий, происходящих в нашей стране и, конечно, в родном ему Физтехе. Он по-прежнему поддерживает связи со многими физиками России и других стран. Среди них у него много настоящих друзей, которые желают Борису Васильевичу здоровья и оптимизма. Редколлегия журнала "Физика и техника полупроводников"

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.