"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Десорбция водорода с поверхности в условиях эпитаксиального наращивания слоев кремния из моносилана в вакууме
Орлов Л.К.1, Смыслова Т.Н.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, Саров, Нижегородская обл., Россия
Поступила в редакцию: 10 февраля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2005 г.

Впервые по экспериментальным данным, описывающим степень покрытия поверхности кремниевой пластины водородом непосредственно в процессе выращивания эпитаксиального слоя кремния из силана в вакууме, определен коэффициент десорбции водорода и энергия активации этого процесса. Проведено сопоставление данных величин с результатами других авторов, полученных в условиях низкотемпературного эксперимента, например, методом термодесорбционной спектрометрии. Найденные величины использованы для вычисления коэффициента кристаллизации и его зависимости от температуры роста и скорости распада моносилана на ростовой поверхности.
  1. V.I. Talanin, I.E. Talanin, D.I. Levinson. Proc. 4th Int. Conf. Single crystal growth and heat \& mass transfer (Obninsk, Russia, 2001) v. 1, p. 205
  2. G. Weirauch, A. Campargue, H. Burger, J. Mol. Spectrosc., 218 (2), 256 (2003)
  3. M.C. McCarthy, P. Thaddeus. J. Mol. Spectrosc., 222 (2), 248 (2003)
  4. M. Shinohara, T. Kuwano, Y. Kimura, M. Niwano. Thin Solid Films, 435, 13 (2003)
  5. C.M. Greenlief, M. Lier. Appl. Phys. Lett., 64, 601 (1994)
  6. K.J. Kim, M. Suemitsu, M. Yamanaka, N. Miyamoto. Appl. Phys. Lett., 62, 3461 (1993)
  7. R.W. Price, E.S. Tok, J. Zhang. J. Cryst. Growth, 209, 306 (2000)
  8. M.C. Flowers, N.B.H. Jonathan, Y. Liu, A. Morris. J. Chem. Phys., 102, 1034 (1995)
  9. D.W. Greve. Mater. Sci. Eng. B, 18, 22 (1993)
  10. A.V. Potapov, L.K. Orlov, S.V. Ivin. Thin Solid Films, 336, 191 (1999)
  11. Л.К. Орлов, С.В. Ивин, А.В. Потапов, Т.Л. Ивина. ЖТФ, 71 (4), 53 (2001)
  12. S.M. Gates, C.M. Greenlief, D.B. Beach. J. Chem. Phys., 93, 7493 (1990)
  13. E.V. Thomsen, C. Christensen. Thin Solid Films, 294, 72 (1997)
  14. K. Sakamoto, H. Matsuhata, K. Miki, T. Sakamoto. J. Cryst. Growth, 157, 295 (1995)
  15. S.M. Gates, S.K. Kilkarni. Appl. Phys. Lett., 60, 53 (1992)
  16. U. Hofer, L. Li, T.F. Heinz. Phys. Rev. B, 45, 9485 (1992)
  17. K. Sinniah, M.G. Sherman, L.B. Lewis, W.H. Weinberg, J.T. Yates, jr., K.C. Janda. Phys. Rev. Lett., 62, 567 (1989); J. Chem. Phys., 92, 5700 (1990)
  18. T.R. Bramblett, Q. Lu, T. Karasawa, M.A. Hasan, S.K. Jo, J.E. Greene. J. Appl. Phys., 76, 1884 (1994)
  19. A. Vittadini, A. Selloni. Phys. Rev. Lett., 75, 4756 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.