Вышедшие номера
Исследование свойств двумерного электронного газа в гетероструктурах p--3C-SiC/n+-6H-SiC при низких температурах
Лебедев А.А.1, Нельсон Д.К.1, Разбирин Б.С.1, Сайдашев И.И.1, Кузнецов А.Н.1, Черенков А.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 марта 2005 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2005 г.

Проведено исследование спектров фотолюминесценции и магнитосопротивления эпитаксиальных структур p--3C-SiC/n+-6H-SiC при температурах 6-80 K. Проведенные исследования показали влияние гетероперехода как на спектр фотолюминесценции, так и на величину сопротивления. Однако недостаточное структурное совершенство эпитаксиальных структур не позволили пока получить эффекты, "классические" для структур с двумерным газом. Следует ожидать, что усложнение техники эксперимента, а также оптимизация ростовых и послеростовых технологий SiC позволят это сделать в ближайшем будущем.