Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Неравновесный характер распределения носителей при комнатной температуре в квантовых точках InAs, покрытых тонкими слоями AlAs/InAlAs
Крыжановская Н.В.1, Гладышев А.Г.1, Блохин С.А.1, Максимов М.В.1, Семенова Е.С.1, Васильев А.П.1, Жуков А.Е.1, Леденцов Н.Н.1,2, Устинов В.М.1, Бимберг Д.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat, Berlin, Germany
2Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 16 февраля 2005 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2005 г.
Исследовались оптические свойства квантовых точек в матрицах GaAs или Al0.3Ga0.7As, полученных путем последовательного заращивания начальных островков InAs, сформированных в режиме роста Странского-Крастанова, тонкими слоями AlAs и InAlAs. Показано, что в массивах таких квантовых точек отсутствует транспорт носителей между квантовыми точками в диапазоне температур от 10 до 300 K и реализуется неравновесное распределение носителей. Подавление температурных выбросов носителей из квантовых точек обусловлено увеличением энергетического зазора между уровнями основного и возбужденного состояний, отсутствием уровня смачивающего слоя, а также увеличением энергии локализации носителей в квантовых точках относительно состояний континуума в случае использования матрицы Al0.3Ga0.7As.
- M.V. Maximov, I.L. Krestnukov, Yu.M. Shernyakov, A.E. Zhukov, N.A. Maleev, Yu.G. Musikhin, V.M. Ustinov, Zn.I. Alferov, A.Yu. Chernyshov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, T. Maka, C.M. Sotomayor Torres. J. Electron Mater., 29, 487 (2000)
- S. Ghosh, S. Pradhan, P. Bhattacharya. Appl. Phys. Lett., 81, 3055 (2002)
- D. Klotzkin, K. Kamath, K. Vineberg, P. Bhattacharya, R. Murty, J. Laskar. IEEE Photon. Techn. Lett., 10, 932 (1998)
- N.N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, O. Schmidt, R. Heitz, J. Bohrer, D. Bimberg, V.M. Ustinov, V.A. Shchukin, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, S.S. Ruvimov, A.O. Kosogov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heydenreich. Sol. St. Electron., 40, 785 (1996)
- I. Mukhametzhanov, R. Heitz, J. Zeng, P. Chen, A. Madhukar. Appl. Phys. Lett., 73, 1841 (1998)
- M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, D.S. Sizov, Yu.M. Shernyakov, I.N. Kaiander, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, R. Heitz, V.A. Shchukon, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Yu.G. Musikhin, W. Neumann. Phys. Rev. B, 62, 16 671 (2000).
- A.F. Tsatsul'nikov, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, Yu.M. Shernyakov, Yu.G. Musikhin, V.M. Ustinov, N.A. Bert, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. J. Appl. Phys., 88, 6272 (2000)
- Б.В. Воловик, А.Ф. Цацульников, Д.А. Бедарев, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, Н.А. Малеев, Ю.Г. Мусихин, А.А. Суворова, В.М. Устинов. ФТП, 33, 990 (1999)
- Z.Y. Zhang, B. Xu, P. Jin, X.Q. Meng, Ch.M. Li, X.L. Ye, D.B. Li, Z.G. Wang. J. Cryst. Growth, 241, 304 (2002)
- I.R. Sellers, H.Y. Liu, M. Hopkinson, D.J. Mowbray, M.S. Skolnik. Appl. Phys. Lett., 83, 4710 (2003)
- М.В. Максимов, Д.С. Сизов, А.Г. Макаров, И.Н. Каяндер, Л.В. Асрян, А.Е. Жуков, В.М. Устинов, Н.А. Черкашин, Н.А. Берт, Н.Н. Леденцов, D. Bimberg. ФТП, 38, 1245 (2004)
- Kenichi Nishi, Hideaki Saito, Shigeo Sugou, Jeong-Sik Lee. Appl. Phys. Lett., 74 (8), 1111 (1999)
- Б.В. Воловик, А.Ф. Цацульников, Д.А. Бедарев, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, Н.А. Малеев, Ю.Г. Мусихин, А.А. Суворова, В.М. Устинов, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг, П. Вернер. ФТП, 33 (8), 990 (1999)
- D.P. Popescu, P.G. Eliseev, A. Stintz, K.J. Malloy. Semicond. Sci. Techol., 19, 33 (2004)
- R. Heitz, M. Grundmann, N.N. Ledentsov, L. Eckey, M. Veit, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Appl. Phys. Lett., 68, 361 (1996)
- R. Heitz, M. Veit, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg, V.M. Ustinov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. B, 56, 10 435 (1997)
- B. Jusserand, M. Cardona. Topics Appl. Phys., 66, 49 (1994).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
