Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Излучательная рекомбинация нанокристаллов GaN при большой мощности оптического возбуждения

Грузинцев А.Н.¹, Редькин А.Н.¹, Barthou C.²

¹Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronic Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow oblast, Russia

Institute of Microelectronic Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow oblast, Russia

²Universite P. et M. Curie, Paris, France

Поступила в редакцию: 11 января 2005 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2005 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследования спектров спонтанной ультрафиолетовой люминесценции нанокристаллов GaN выполнены при различных плотностях мощности оптического возбуждения от 50 Вт/см² до 50 МВт/см². При комнатной температуре обнаружены пики свечения свободных экситонов и рекомбинации электронно-дырочной плазмы. Изучены спектральные характеристики излучения электронно-дырочной плазмы нитрида галлия в широком диапазоне температур от 77 до 550 K.

S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh. Jap. J. Appl. Phys., 30, L1998 (1991)
S.J. Xu, G. Li, S.J. Chue. Appl. Phys. Lett., 72, 2451 (1998)
E.R. Glaser, T.A. Kennedy, K. Doverspike. Phys. Rev. B, 51, 13 326 (1995)
M.H. Huang, S. Mao, H. Feiick, H. Yan, Y. Wu, H. King, E. Waber. Science, 292, 1897 (2001)
J.W. Tomm, B. Ullrich, X.G. Qui, Y. Seguwa, A. Ohtomo, M. Kawasaki, H. Koinuma. J. Appl. Phys., 87, 1844 (2000)
P. Zu, Z.K. Tang, G.K.L. Wong, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, Y. Segawa. Sol. St. Commun., 103, 459 (1997)
X.H. Yang, T.J. Schmidt, W. Shan, J.J. Song. Appl. Phys. Lett., 66, 1 (1995)
А.Н. Редькин, В.И. Таций, З.И. Маковей, А.Н. Грузинцев, Е.Е. Якимов. Неорг. матер., 40, 1197 (2004)
А.Н. Грузинцев, У. Кайзер, И.И. Ходос, В. Рихтер. Неорг. матер., 37, 1 (2001)
У. Кайзер, А.Н. Грузинцев, И.И. Ходос, В. Рихтер. Неогр. матер., 36, 720 (2000)
S. Bidnyk, B.D. Little, Y.H. Cho, J. Krasinski, J.J. Song, W. Yang. MRS Internet J. Nitride Smicond., Res. 4S1, G6.48 (1999)
A. Yamamoto, T. Kido, T. Goto, Y. Chen, T. Yao, Sol. St. Commun., 122, 29 (2002)
A.N. Gruzintsev, V.T. Volkov, C. Barthou, P. Benallou, J.M. Frigerio. Thin Sol. Films, 459, 262 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель