Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Структурные преобразования и оптические свойства халькогенидных стекол As₂S₃

Фекешгази И.В.¹, Май К.В.¹, Мателешко Н.И.², Мица В.М.², Боркач Е.И.²

¹Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

²Ужгородский национальный университет, Ужгород, Украина Uzhgorod National University, Uzhgorod, Ukraine

Поступила в редакцию: 27 декабря 2004 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2005 г.

PDF версия

Исследовано влияние температуры выдержки расплава (T_i) и скорости закалки (V_i) на структуру и оптические свойства стекол As₂S₃. Установлено, что с ростом значений T_i и V_i наблюдается увеличение ширины запрещенной зоны стекол, уменьшение их плотности, показателя преломления (от 2.71 до 2.48), а также коэффициента двухфотонного поглощения (от 0.37 до 0.15 см / МВт), что сопровождается возрастанием значений порога лучевой прочности.

З.У. Борисова. Халькогенидные полупроводниковые стекла (Л., Изд-во ЛГУ, 1983)
А. Фельц. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела (М., Мир, 1986)
С.В. Свечников, В.В. Химинец, Н.И. Довгошей. Сложные некристаллические халькогениды и халькогалогениды и их применение в оптоэлектронике (Киев, Наук. думка, 1992)
Г.З. Виноградова. Стеклообразование и фазовые равновесия в халькогенидных системах (М., Наука, 1984)
M. Bertolotti, V. Chumash, E. Fazio, A. Ferrari, C. Sibilia. J. Appl. Phys., 74, 3024 (1993)
N. Mateleshko, E. Borkach. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 7, 171 (2004)
I.V. Fekeshgazi, K.V. May, V.M. Mitsa, V.V. Roman. Proc. SPIE, 2648, 257 (1995)
V.V. Grabovskii, K.V. May, V.I. Prokhorenko, I.V. Fekeshgazi, D.Ya. Yatskiv. J. Appl. Spectrosc., 63, 586 (1996)
R. Holomb, V. Mitsa. Sol. St. Commun., 129 (10), 655 (2004)
Р. Голомб, Н. Вереш, М. Коош, М. Гомеш. Тр. 4-й Межд. конф. " Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (СПб., 2004) с. 220
I. Fekeshgazi, K. May, V. Mitsa, V. Roman, A. Vakaruk. Proc. SPIE, 2968, 256 (1997)
И.В. Фекешгази, К.В. Май, А.П. Клименко, В.М. Мица, С.Я. Иван. Тр. 4-й Межд. конф. " Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (СПб., 2004) с. 152

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель