"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Структурные преобразования и оптические свойства халькогенидных стекол As2S3
Фекешгази И.В.1, Май К.В.1, Мателешко Н.И.2, Мица В.М.2, Боркач Е.И.2
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Ужгородский национальный университет, Ужгород, Украина
Поступила в редакцию: 27 декабря 2004 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2005 г.

Исследовано влияние температуры выдержки расплава (Ti) и скорости закалки (Vi) на структуру и оптические свойства стекол As2S3. Установлено, что с ростом значений Ti и Vi наблюдается увеличение ширины запрещенной зоны стекол, уменьшение их плотности, показателя преломления (от 2.71 до 2.48), а также коэффициента двухфотонного поглощения (от 0.37 до 0.15 см / МВт), что сопровождается возрастанием значений порога лучевой прочности.
  1. З.У. Борисова. Халькогенидные полупроводниковые стекла (Л., Изд-во ЛГУ, 1983)
  2. А. Фельц. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела (М., Мир, 1986)
  3. С.В. Свечников, В.В. Химинец, Н.И. Довгошей. Сложные некристаллические халькогениды и халькогалогениды и их применение в оптоэлектронике (Киев, Наук. думка, 1992)
  4. Г.З. Виноградова. Стеклообразование и фазовые равновесия в халькогенидных системах (М., Наука, 1984)
  5. M. Bertolotti, V. Chumash, E. Fazio, A. Ferrari, C. Sibilia. J. Appl. Phys., 74, 3024 (1993)
  6. N. Mateleshko, E. Borkach. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 7, 171 (2004)
  7. I.V. Fekeshgazi, K.V. May, V.M. Mitsa, V.V. Roman. Proc. SPIE, 2648, 257 (1995)
  8. V.V. Grabovskii, K.V. May, V.I. Prokhorenko, I.V. Fekeshgazi, D.Ya. Yatskiv. J. Appl. Spectrosc., 63, 586 (1996)
  9. R. Holomb, V. Mitsa. Sol. St. Commun., 129 (10), 655 (2004)
  10. Р. Голомб, Н. Вереш, М. Коош, М. Гомеш. Тр. 4-й Межд. конф. " Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (СПб., 2004) с. 220
  11. I. Fekeshgazi, K. May, V. Mitsa, V. Roman, A. Vakaruk. Proc. SPIE, 2968, 256 (1997)
  12. И.В. Фекешгази, К.В. Май, А.П. Клименко, В.М. Мица, С.Я. Иван. Тр. 4-й Межд. конф. " Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (СПб., 2004) с. 152

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.