"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоиндуцированная релаксация метастабильных состояний в a-Si : H (B)
Ормонт Н.Н.1, Курова И.А.1, Прокофьев Г.В.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 27 декабря 2004 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2005 г.

Исследована кинетика термической релаксации ансамбля фотоиндуцированных метастабильных электрически активных атомов бора в пленках a-Si : H (B) после частичной релаксации ансамбля в темноте и при подсветках разной интенсивности и длительности. Определены параметры растянутой экспоненты, описывающей кинетику релаксации ансамблей. Установлено, что фотоиндуцированная релаксация метастабильных состояний проявляется в условиях, когда ее скорость превышает скорость их фотоиндуцированного образования. Показано, что изменения функции распределения метастабильных состояний по временам релаксации вследствие термической и фотоиндуцированной релаксации подобны.
  1. D. Redfield. Appl. Phys. Lett., 52, 492 (1988)
  2. R. Meaudre, M. Meaudre. Phys. Rev. B, 45, 12 135 (1992)
  3. H. Gleskova, P.A. Morin, S. Wagner. Appl. Phys. Lett., 62, 2063 (1993)
  4. И.А. Курова, Н.Н. Ормонт, А.Л. Громадин. ФТП, 37, 142 (2003)
  5. И.А. Курова, Н.Н. Ормонт, А.Л. Громадин. ФТП, 37, 753 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.