Процессы роста неупорядоченных полупроводников с позиций теории самоорганизации
Вихров С.П.1, Бодягин Н.В.1, Ларина Т.Г.1, Мурсалов С.М.1
1Рязанская государственная радиотехническая академия, Рязань, Россия
Поступила в редакцию: 27 декабря 2004 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2005 г.
Обоснована возможность применения идей и методов теории самоорганизации при рассмотрении процессов роста неупорядоченных полупроводников. Описан основной метод анализа динамики сложных систем. Рассмотрены инварианты хаотической динамики применительно к процессам роста материалов. Определены новые принципы построения технологических систем.
- А.А. Айвазов, Н.В. Бодягин, С.П. Вихров. Изв. вузов. Электроника, 1, 39 (1997)
- Н.В. Бодягин, С.П. Вихров, С.Н. Дьяков. В сб.: Физика полупроводников и микроэлектроника (Рязань, РГРТА, 1995) с. 92
- С.П. Вихров, А.А. Айвазов, Н.В. Бодягин. Вестн. РГРТА, 1, 77 (1996)
- С.П. Вихров, Н.В. Бодягин. В сб.: Физика полупроводников и микроэлектроника (Рязань, РГРТА, 1997) с. 3
- H.D.I. Ababranel, R. Rown, J.J. Sidorovich, L.S. Tsimiring. Rev. Mod. Phys., 65 (4), 1331 (1993)
- Г. Николис, И. Пригожин. Познание сложного (М., Мир, 1990)
- A.A. Aivazov, N.V. Bodyagin, S.P. Vikhrov, S.V. Petrov. J. Non-Cryst. Sol., 114, 157 (1989)
- Н.В. Бодягин, С.П. Вихров, А.А. Айвазов. Изв. вузов. Электроника, 3-- 4, 7 (1997)
- Н.В. Бодягин. Изв. вузов. Электроника, 2, 31 (1997)
- A.A. Aivazov, N.V. Bodyagin, S.P. Vikhrov. Material Research Society (Pittsburgh, USA, 1996) v. 420, p. 145
- Н.В. Бодягин, С.П. Вихров, Т.Г. Ларина, С.М. Мурсалов, В.Н. Тимофеев. Природа невоспроизводимости структуры и свойств материалов для микро- и наноэлектроники (Рязань, РГРТА, 2004)
- Т.С. Ахромеева, С.П. Курдюмов, Г.Г. Малинецкий, А.А. Самарский. Нестационарные структуры и диффузионный хаос (М., Наука, 1992)
- Н.В. Бодягин, С.П. Вихров. Управление процессами роста полупроводниковых материалов (Рязань, РГРТА, 1997)
- Н.В. Бодягин, С.П. Вихров. Письма ЖТФ, 23 (19), 77 (1997)
- С.П. Вихров, Н.В. Бодягин. Новый подход к построению технологических систем на примере роста слоев a-Si : H (Рязань, РГРТА, 1994)
- Н.В. Бодягин, С.П. Вихров, С.М. Мурсалов, И.В. Тарасов. Микроэлектроника, 31 (4), 307 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук