"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Сегнетоэлектрический полевой транзистор на основе гетероструктуры Pb(ZrxTi1-x)O3 / SnO2
Титков И.Е.1, Пронин И.П.1, Машовец Д.В.1, Делимова Л.А.1, Линийчук И.А.1, Грехов И.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 декабря 2004 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.

Исследована возможность создания сегнетоэлектрического полевого транзистора на основе гетеропары Pb(ZrxTi1-x)O3/SnO2 (PZT / SnO2). В качестве канала полевого транзистора использовались легированные сурьмой эпитаксиальные пленки SnO2 / Al2O3, напыленные YAG-лазером из металлической мишени. Наибольшая подвижность электронов в пленках составляла 25 см2/(В·c) при концентрации 8·1019 см-3. Продемонстрирована возможность прямого роста пленок PZT на SnO2 методами магнетронного и лазерного напыления. Оба этих метода были использованы для изготовления конденсаторных структур Au / PZT / SnO2. При размере верхнего электрода 250x250 мкм емкости конденсаторных ячеек составили 1000 пФ при предельном напряжении 10 В, наибольшая остаточная поляризация --- 16 мкКл / см2. Получена транзисторная структура Au / PZT / SnO2 / Al2O3 с модуляцией проводимости 94%. Разница токов в канале при отрицательной и положительной остаточных поляризациях подзатворного сегнетоэлектрика составила 37%.
  • Shu-Yau Wu. IEEE Trans. Electron. Dev., Ed-21 (8), 499 (1974)
  • T. Nakamura, Y. Nakao, A. Kamisawa, H. Takasu. IEEE ISSCC (San Francisco, 1955) p. 68
  • H. Ishiwara, T. Shimamura, E. Tokumitsu. Jap. J. Appl. Phys., 36 (3B), 1655 (1997)
  • Yil Suk Yang, In-kyu You, Won Jae Lee, Byoung Gon Yu, Kyong-Ik Cho. J. Korean Phys. Soc., 40 (4), 701 (2002)
  • Ali Sheikholeslami, P. Glenn Gulak. Proc. IEEE, 88 (5), 667 (2000)
  • Y. Watanabe. Appl. Phys. Lett., 66 (14), 1770 (1995)
  • И.А. Веселовский, И.В. Грехов, Л.А. Делимова, И.А. Линийчук. Письма ЖТФ, 27 (1), 39 (2001)
  • I. Grekhov, L. Delimova, I. Liniichuk, D. Mashovets, I. Veselovsky. Integrated Ferroelectrics, 43, 175 (2002)
  • Dominguez-JE, Fu-L, Pan-XQ. Appl. Phys. Lett., 79 (5), 614 (2001)
  • Dominguez-JE, Fu-L, Pan-XQ. J. Appl. Phys., 86, 2001 (полный текст статьи доступен в Internet по адресу: 8.910 http://www.mse.engin.umich.edu/research/centers/caem/mrsec/ publications/SnO2 fPLD JAP0 1/SnO2 Epitaxy JAP01.pdf)
  • H.L.M. Chang, H. Zhang, Z. Shen, Q. Wang. J. Mater. Res., 9 (12), 3108 (1996)
  • M.W.J. Prins, S.E. Zinnemers, J.F.M. Cillessen, J.B. Giesbers. Appl. Phys. Lett., 70 (4), 458 (1997)
  • M.W.J. Prins, K.-O. Grosse-Holz, G. Muller, J.F.M. Cillessen, J.B. Giesbers, R.P. Weening, R.M. Wolf. Appl. Phys. Lett., 68 (25), 3650 (1996)
  • M.W.J. Prins, K.-O. Grosse-Holz, J.F.M. Cillessen, L.F. Feiner. J. Appl. Phys., 83 (2), 888 (1998)
  • Dominguez-JE, Fu-L, Pan-XQ. Appl. Phys. Lett., 8 (27), 5168 (2002)
  • W.P. Li, R. Zhang, J. Shen, Y.M. Liu, B. Shen, P. Chen, Y.G. Zhou, J. Li, X.L. Yuan, Z.Z. Chen, Y. Shi, Z.G. Liu, Y.D. Zheng. Appl. Phys. Lett. 77 (4), 24 (2000)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.