"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Высокомощные синие флип--чип светодиоды на основе AlGaInN
Закгейм Д.А.1, Смирнова И.П.1, Рожанский И.В.1, Гуревич С.А.1, Кулагина М.М.1, Аракчеева Е.М.1, Онушкин Г.А.2, Закгейм А.Л.2, Васильева Е.Д.3, Иткинсон Г.В.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур, Санкт-Петербург, Россия
3ЗАО "Светлана--Оптоэлектроника", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 октября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.

Сообщается о разработке конструкции и изготовлении светодиодного кристалла большой мощности с площадью активной области 1 мм2, излучающего на длине волны 460 нм. Конструкция кристалла разработана на основе численного моделирования и предназначается для монтажа флип--чип. Применение двухуровневой разводки n-контакта позволило получить рекордно низкое значение последовательного сопротивления (0.65 Ом) и высокую однородность распределения тока накачки. Светодиоды на основе разработанной конструкции работают в непрерывном режиме в диапазоне токов 0--2 А, при этом максимальная выходная оптическая мощность составила 430 мВ.
  • M. Yamada, T. Mitani, Y. Narukawa, S. Shioji, I. Niki, S. Sonobe, K. Deguchi, M. Sano, T. Mukai. Jap. J. Appl. Phys., 41, L 1431 (2002)
  • J.J. Wierer, D.A. Steigerwald, M.R. Krames, J.J.O'Shea, M.J. Ludowise, G. Christenson, Y.-C. Shen, C. Lowery, P.S. Martin, S. Subramanya, W. Gotz, N.F. Gardner, R.S. Kern, S.A. Stockman. Appl. Phys. Lett., 78, 3379 (2001)
  • V. Harle, B. Hahn, J. Baur, M. Fehrer, A. Weimar, S. Kaiser, D. Eisert, F. Eberhard, A. Plossl, S. Bader. Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng., 5187, 34 (2004); http://compoundsemiconductor.net/articles/news/7/9/4/1
  • T. Fujii, Y. Gao, R. Sharma, E.L. Hu, S.P. DenBaars, S. Nakamura. Appl. Phys. Lett., 84, 855 (2004)
  • Y.C. Shen, J.J. Wierer, M.R. Krames, M.J. Ludowise, M.S. Misra, F. Ahmed, A.V. Kim, G.O. Mueller, J.C. Bhat, S.A. Stockman, P.S. Martin. Appl. Phys. Lett., 82, 2221 (2003)
  • J.J. Wierer, M.R. Krames, J.E. Epler, N.F. Gardner, M.G. Craford, J.R. Wendt, J.A. Simmons, M.M. Sigalas. Appl. Phys. Lett., 84, 3885 (2004)
  • I.P. Smirnova, D.A. Zakheim, I.V. Rozhanskii, M.M. Kulagina, E.M. Arakcheeva, S.A. Gurevich, A.L. Zakheim, E.D. Vasil'eva, G.V. Itkinson. Proc. Int. Symp. " Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, 2004) p. 99
  • V.A. Zabelin, D.A. Zakheim, S.A. Gurevich. IEEE J. Quant. Electron., 40, 1675 (2004).
  • T.A. Davis. UMFPACK Version 4.1 User Guide; http://www.cise.ufl.edu/research/sparse/umfpack/ (2003)
  • Г.А. Онушкин, Д.А. Закгейм, И.П. Смирнова, И.В. Рожанский, А.Ф. Цацульников, В.В. Лундин, А.Л. Закгейм. Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы. Тез. докл. 3-й Всеросс. конф. (М., 2004), с. 96
  • Д.А. Закгейм, И.П. Смирнова, Е.М. Аракчеева, М.М. Кулагина, С.А. Гуревич, А.Л. Закгейм, Е.Д. Васильева, Г.В. Иткинсон. Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы. Тез. докл. 3-й Всеросс. конф. (М., 2004) с. 138
  • T. Serikawa, T. Yachi. J. Electrochem. Soc., 131, 2105 (1984)
  • Luxeon-=SUP=-oledR-=/SUP=- III Emitter, Technical Datasheet DS45; http://www.lumileds.com/pdfs/DS45.PDF
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.