"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оптические и электрические свойства тонких пластин, изготовленных из нанокристаллических порошков кремния
Кононов Н.Н.1, Кузьмин Г.П.1, Орлов А.Н.2, Сурков А.А.1, Тихоневич О.В.1
1Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
2Центр естественно-научных исследований при Институте общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 25 октября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.

Исследованы инфракрасные спектры пропускания и темновая проводимость пластин, изготовленных из порошков нанокристаллического кремния (nc-Si). Исходные порошки nc-Si синтезировались методом лазерно-индуцированной диссоциации силана в диапазоне температур окружающего буферного газа от 20 до 250oC и затем прессовались при давлениях от 108 до 109 Па. Обнаружено, что в процессе прессования порошков nc-Si в них формируются структуры Si--H, Si--CHx и Oy--Si--Hx (x,y=1-3). Образованные структуры разрушаются при отжиге пластин, причем наименьшая температура отжига (t=160oC) требуется для разрушения комплексов Si--H, Si--CHx. Показано, что темновая проводимость пластин nc-Si возрастает с увеличением температуры буферного газа, при которой синтезировался исходный порошок. Обнаружено, что существуют две температурные области, в которых темновая проводимость пластин имеет качественно различный характер. При температурах пластин T>=q 270 K проводимость связана со свободными носителями заряда, в то время как при меньших температурах электронный транспорт определяется прыжковой проводимостью по локализованным состояниям в запрещенной зоне.
  1. J. Meier, R. Fluckiger, H. Keppner, A. Shar. Appl. Phys. Lett., 65, 860 (1994)
  2. O.I. Bomk, L.G. Ilchenko, V.V. Ilchenko, A.M. Pinchuk, V.M. Pinchuk, G.V. Kuznetsov, V.I. Strykha. Sens. Actuators B, 62, 131 (2000)
  3. V. Strikha, V. Skryshevsky, V. Polishuk, E. Souteyrand, I.R. Martin. J. Porous Mater., 7, 111 (2000)
  4. J. Costa, P. Poura, J.K. Morante, E. Bertran. J. Appl. Phys., 83, 7879 (1998)
  5. K. Накамото. Инфракрасные спектры неорганических и координационных соединений (М., Мир, 1966) с. 147
  6. P. Roca i Cabarrocas, S. Hammea, S.N. Sharma, G. Viera, E. Bertran, J. Costa. J. Non-Cryst. Sol., 227--230, 871 (1998)
  7. H. Shirai, T. Arai, T. Nakamura. Appl. Surf. Sci., 113--114, 111 (1997)
  8. G.P. Kuz'min, M.E. Karasev, E.M. Khokhlov, N.N. Kononov, V.G. Plotnichenko, O.V. Tikhonevich. Laser Phys., 10, 934 (2000)
  9. S. Shuppler, S.L. Friedman, M.A. Marcus, D.L. Adler, Y.H. Xie, F.M. Ross, Y.I. Chabal, T.D. Harris, L.E. Brus, W.L. Braun, E.E. Chaban, P.F. Sxajowski, S.B. Christman, P.H. Citrin. Phys. Rev. B, 52, 4910 (1995)
  10. H. Richter, L. Ley. J. Appl. Phys., 52, 7281 (1981)
  11. Xi-Mao Bao, Xiang He, Ting Gao, Feng Yau, Hui-Lau Chen. Sol. St. Commun., 109, 169 (1999)
  12. M.H. Brodsky, M. Cardona, J.J. Cuomo. Phys. Rev. B, 16, 3556 (1977)
  13. H. Fujiwara, Y. Toyoshima, M. Kondo, A. Matsuda. Phys. Rev. B, 60, 13 598 (1999)
  14. V.G. Plotnichenko, V.O. Sokolov, E.M. Dianov. J. Non-Cryst. Sol., 261, 186 (2000)
  15. T.D. Shen, I. Shmagin, C.C. Koch, R.M. Kolbas, Y. Fahmi, L. Bergman, R.J. Nemanich, M.T. McClure, Z. Sitar, M.X. Quan. Phys. Rev. B, 55, 7615 (1997)
  16. R.A. Bley, S.M. Kanzlarich, J.E. Davis, H.W.H. Lee. Chem. Mater., 8, 1881 (1996)
  17. Н. Мотт, Э. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
  18. Аморфные полупроводники, под ред. М. Бродски (М., Мир, 1982)
  19. J.P. Kleider, C. Longeaud, M. Gautier, M. Meaudre, R. Meaudre, R. Butte, S. Vignoli, P. Roca i Cabarrocas. Appl. Phys. Lett., 75, 3351 (1999)
  20. O. Saadan, S. Lebib, A.V. Kharchenko, C. Longeaud, P. Roca i Cabarrocas. J. Appl. Phys., 93, 9371 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.