"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование механических напряжений в селективно-оксидированных структурах GaAs/(AlGa)xOy
Блохин С.А.1, Смирнов А.Н.1, Сахаров А.В.1, Гладышев А.Г.1, Крыжановская Н.В.1, Малеев Н.А.1, Жуков А.Е.1, Семенова Е.С.1, Бедарев Д.А.1, Никитина Е.В.1, Кулагина М.М.1, Максимов М.В.1, Леденцов Н.Н.1, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 декабря 2004 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.

Для изучения процесса селективного оксидирования слоев Al0.97Ga0.03As применена спектроскопия комбинационного рассеяния света. Определены механические напряжения, возникающие в структурах GaAs/(AlGa)xOy при различных режимах процесса селективного оксидирования. Проанализированы эффекты локального нагрева образцов лазерным излучением при измерениях комбинационного рассеяния света, "задубливания" фоторезиста при оксидировании и "переоксидирования". Проведена оптимизация аппаратуры и методики селективного оксидирования, позволившая реализовать матрицы вертикально излучающих лазеров с активной областью на основе двух квантовых ям InGaAs с верхним оксидированным и нижним полупроводниковым распределенными брэгговскими отражателями.
  1. J.M. Dallesasse, N. Holonyak, A.R. Sugg, T.A. Richard, N. El-Zein. Appl. Phys. Lett., 57, 2844 (1990)
  2. D.L. Huffaker, C.C. Lin, J. Shin, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett., 66, 3096 (1995)
  3. E.I. Chen, N. Holonyak, S.A. Maranowski. Appl. Phys. Lett., 66, 2688 (1995)
  4. A. Fiore, V. Berger. E. Rosencher, N. Laurent, S. Teilmann, N. Vodjdani, J. Nagle. Appl. Phys. Lett., 68, 3357 (1996)
  5. D.L. Huffaker, D.G. Deppe, K. Kummar, T.J. Rogers. Appl. Phys. Lett., 65, 97 (1994)
  6. Vertical cavity surface emitting lasers, ed. by L.A. Coldren, H. Temkin and C.W. Wilmsen (Cambridg Univ. Press, 1999)
  7. R.D. Twesten, D.M. Follstaedt, K.D. Choquette, R.P. Schneider. Appl. Phys. Lett., 69, 19 (1996)
  8. F. Cerdeira, C.J. Buchenauer, F.H. Pollak, M. Cardona. Phys. Rev. B, 5, 580 (1972)
  9. S.C. Jain, M. Willander, H. Maes. Semicond. Sci. Technol., 11, 641 (1996)
  10. Ingrid De Wolf. Semicond. Sci. Technol., 11, 139 (1996)
  11. G. Landa, R. Carles, C. Fontaine, E. Bedel, A. Munoz-Yague. Appl. Phys. Lett., 66, 196 (1989)
  12. Н.А. Малеев, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, С.С. Михрин, А.Г. Кузьменков, Д.А. Бедарев, Ю.М. Задиранов, М.А. Кулагина, Ю.М. Шерняков, А.С. Шуленков, В.А. Быковский, Ю.М. Соловьев, С. Moller, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов. ФТП, 37, 1265 (2003)
  13. M. Creusen, F. de Btyun, F. Karouta, W.C. van der Vleuten, T.G. van de Roer, E. Smalbrugge, B.H. van Roy. Electrochem. Sol. St. Lett., 2, 83 (1999)
  14. H.Q. Jia, H. Chen, W.C. Wang, W.X. Wang, W. Li, Q. Huang, J. Zhou. J. Cryst. Growth, 223, 484 (2001)
  15. C.I.H. Ashby, J.P. Sullivan, P.P. Newcomer, N.A. Missert, H.Q. Hou, B.E. Hammons, M.J. Hafich, A.G. Baca. Appl. Phys. Lett., 70, 2445 (1997)
  16. A.R. Sugg, N. Holonyak, J.E. Baker, F.A. Kish, J.M. Dallesasse. Appl. Phys. Lett., 58, 1199 (1991)
  17. K.D. Choquette, K.M. Geib, C.I.H. Ashby, R.D. Twesten, O. Blum, H.Q. Hou, D.M. Follstaedt, B.E. Hammons, D. Mathes, R. Hull. IEEE J. Select. Topics in Quant. Electron., 3, 916 (1997)
  18. J.P. Landesman, A. Fiore, J. Nagle, V. Berger, E. Rosencher, P. Puech. Appl. Phys. Lett., 71, 2520 (1997)
  19. V.A. Haisler, F. Hopfer, R.L. Sellin, A. Lochmann, K. Fleischer, N. Esser, W. Richter, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 81, 2544 (2002)
  20. Н.А. Малеев, А.Г. Кузьменков, А.Е. Жуков и др. ФТП, 39 (4), 487 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.