"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование механических напряжений в селективно-оксидированных структурах GaAs/(AlGa)xOy
Блохин С.А.1, Смирнов А.Н.1, Сахаров А.В.1, Гладышев А.Г.1, Крыжановская Н.В.1, Малеев Н.А.1, Жуков А.Е.1, Семенова Е.С.1, Бедарев Д.А.1, Никитина Е.В.1, Кулагина М.М.1, Максимов М.В.1, Леденцов Н.Н.1, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 декабря 2004 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.

Для изучения процесса селективного оксидирования слоев Al0.97Ga0.03As применена спектроскопия комбинационного рассеяния света. Определены механические напряжения, возникающие в структурах GaAs/(AlGa)xOy при различных режимах процесса селективного оксидирования. Проанализированы эффекты локального нагрева образцов лазерным излучением при измерениях комбинационного рассеяния света, "задубливания" фоторезиста при оксидировании и "переоксидирования". Проведена оптимизация аппаратуры и методики селективного оксидирования, позволившая реализовать матрицы вертикально излучающих лазеров с активной областью на основе двух квантовых ям InGaAs с верхним оксидированным и нижним полупроводниковым распределенными брэгговскими отражателями.
  • J.M. Dallesasse, N. Holonyak, A.R. Sugg, T.A. Richard, N. El-Zein. Appl. Phys. Lett., 57, 2844 (1990)
  • D.L. Huffaker, C.C. Lin, J. Shin, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett., 66, 3096 (1995)
  • E.I. Chen, N. Holonyak, S.A. Maranowski. Appl. Phys. Lett., 66, 2688 (1995)
  • A. Fiore, V. Berger. E. Rosencher, N. Laurent, S. Teilmann, N. Vodjdani, J. Nagle. Appl. Phys. Lett., 68, 3357 (1996)
  • D.L. Huffaker, D.G. Deppe, K. Kummar, T.J. Rogers. Appl. Phys. Lett., 65, 97 (1994)
  • Vertical cavity surface emitting lasers, ed. by L.A. Coldren, H. Temkin and C.W. Wilmsen (Cambridg Univ. Press, 1999)
  • R.D. Twesten, D.M. Follstaedt, K.D. Choquette, R.P. Schneider. Appl. Phys. Lett., 69, 19 (1996)
  • F. Cerdeira, C.J. Buchenauer, F.H. Pollak, M. Cardona. Phys. Rev. B, 5, 580 (1972)
  • S.C. Jain, M. Willander, H. Maes. Semicond. Sci. Technol., 11, 641 (1996)
  • Ingrid De Wolf. Semicond. Sci. Technol., 11, 139 (1996)
  • G. Landa, R. Carles, C. Fontaine, E. Bedel, A. Munoz-Yague. Appl. Phys. Lett., 66, 196 (1989)
  • Н.А. Малеев, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, С.С. Михрин, А.Г. Кузьменков, Д.А. Бедарев, Ю.М. Задиранов, М.А. Кулагина, Ю.М. Шерняков, А.С. Шуленков, В.А. Быковский, Ю.М. Соловьев, С. Moller, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов. ФТП, 37, 1265 (2003)
  • M. Creusen, F. de Btyun, F. Karouta, W.C. van der Vleuten, T.G. van de Roer, E. Smalbrugge, B.H. van Roy. Electrochem. Sol. St. Lett., 2, 83 (1999)
  • H.Q. Jia, H. Chen, W.C. Wang, W.X. Wang, W. Li, Q. Huang, J. Zhou. J. Cryst. Growth, 223, 484 (2001)
  • C.I.H. Ashby, J.P. Sullivan, P.P. Newcomer, N.A. Missert, H.Q. Hou, B.E. Hammons, M.J. Hafich, A.G. Baca. Appl. Phys. Lett., 70, 2445 (1997)
  • A.R. Sugg, N. Holonyak, J.E. Baker, F.A. Kish, J.M. Dallesasse. Appl. Phys. Lett., 58, 1199 (1991)
  • K.D. Choquette, K.M. Geib, C.I.H. Ashby, R.D. Twesten, O. Blum, H.Q. Hou, D.M. Follstaedt, B.E. Hammons, D. Mathes, R. Hull. IEEE J. Select. Topics in Quant. Electron., 3, 916 (1997)
  • J.P. Landesman, A. Fiore, J. Nagle, V. Berger, E. Rosencher, P. Puech. Appl. Phys. Lett., 71, 2520 (1997)
  • V.A. Haisler, F. Hopfer, R.L. Sellin, A. Lochmann, K. Fleischer, N. Esser, W. Richter, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 81, 2544 (2002)
  • Н.А. Малеев, А.Г. Кузьменков, А.Е. Жуков и др. ФТП, 39 (4), 487 (2005)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.