"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние кислорода на образование донорных центров в слоях кремния, имплантированных ионами эрбия и кислорода
Александров О.В.1, Захарьин А.О.2, Соболев Н.А.2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 декабря 2004 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.

Развита модель образования донорных центров, обусловленных совместной имплантацией ионов Er+ и O+ в кремний с последующим термическим отжигом, представляющих собой многочастичные эрбий-кислородные комплексы ErOn с n>=4. Учитывается конкурирующий процесс образования электрически неактивных кислородных кластеров. Модель позволяет описать зависимость коэффициента активации донорных центров от дозы имплантации ионов кислорода, а также влияние имплантации ионов кислорода и температуры отжига на концентрационные профили донорных центров.
  1. Н.А. Соболев. ФТП, 29, 1153 (1995)
  2. J. Michel, L.V.C. Assali, M.T. Morse, L.C. Kimerling. Semicond. Semimet., 49, 111 (1998)
  3. F. Priolo, S. Coffa, G. Franzo, C. Spinella, A. Carnera, V. Bellani. J. Appl. Phys., 74, 4936 (1993)
  4. N.A. Sobolev, A.M. Emel'yanov, Yu.A. Kudr'yavtsev, R.N. Kyutt, M.I. Makovijchuk, Yu.A. Nikolaev, E.O. Parshin, V.I. Sakharov, I.E. Serenkov, E.I. Shek, K.F. Shtel'makh. Sol. St. Phenomena, 57--58, 213 (1997)
  5. V.V. Emtsev, V.V. Emtsev, jr., D.S. Poloskin, E.I. Shek, N.A. Sobolev, J. Michel, L.C. Kimerling. ФТП, 33, 1192 (1999)
  6. V.V. Emtsev, jr., C.A.J. Ammerlaan, B.A. Andreev, G.A. Oganesyan, D.S. Poloskin, E.I. Shek, N.A. Sobolev. Sol. St. Phenomena, 82--84, 93 (2002)
  7. О.В. Александров, А.О. Захарьин, Н.А. Соболев, Е.И. Шек. Изв. СПбГЭТУ, вып. 516, 48 (1998)
  8. D.L. Adler, D.C. Jacobson, D.J. Eaglesham, M.A. Marcus, J.L. Benton, J.M. Poate, P.H. Citrin. Appl. Phys. Lett., 61, 2181 (1992)
  9. A. Terrasi, G. Franzo, S. Coffa, F. Priolo, F. D'Acapito, S. Mobilio. Appl. Phys. Lett., 70, 1712 (1997)
  10. В.Ф. Мастеров, Ф.С. Насрединов, П.П. Серегин, Е.И. Теруков, М.М. Мездрогина. ФТП, 32, 708 (1998)
  11. J.D. Carrey. J. Phys.: Condens. Matter., 14, 8537 (2002)
  12. U. Wahl, J.C. Correia, J.P. Araujo, A. Vantomme, G. Langouche. Physica B, 273--274, 342 (1999)
  13. О.В. Александров, А.О. Захарьин. ФТП, 36, 1291 (2002)
  14. T. Hallberg, J.L. Lindstrom. J. Appl. Phys., 72, 5130 (1992)
  15. H. Koyama. J. Appl. Phys., 51, 3202 (1980)
  16. V.V. Emtsev, jr., G.A. Oganesyan, K. Schmalz. Sol. St. Phenomena, 47--48, 259 (1996)
  17. R.C. Newman. J. Phys.: Condens. Matter., 12, R335 (2000)
  18. A. Ourmazd, W. Schroter, A. Bourret. J. Appl. Phys., 56, 1670 (1984)
  19. M. Suezawa, K. Sumino. Phys. Status Solidi, 82, 235 (1984)
  20. E. Chason, S.T. Picraux, J.M. Poate, J.O. Borland, M.I. Current, T.D. de la Rubia, D.J. Eaglesham, O.W. Holland, M.E. Law, C.W. Magee, J.W. Mayer, J. Melngailis, A.F. Tasch. J. Appl. Phys., 81, 6513 (1997)
  21. R. Krause-Rehberg, F. Borner, F. Redmann, J. Gebauer, R. Kogler, R. Klieman, W. Skorupa, W. Egger, G. Kogel, W. Triftshauser. Physica B, 308--310, 442 (2001)
  22. И.А. Аброян, А.Н. Андронов, А.И. Титов. Физические основы электронной и ионной технологий (М., Высш. шк., 1984)
  23. A. Borghesi, B. Pivac, A. Sassela, A. Stella. J. Appl. Phys., 77, 4169 (1995)
  24. J.C. Mikkelsen. Matter. Res. Soc. Symp. Proc., 59, 19 (1986)
  25. L. Pelaz, G.H. Gilmer, M. Jaraiz, S.B. Herner, H.-J. Gossmann, D.J. Eaglesham, G. Hobler, C.S. Rafferty, J. Barbolla. Appl. Phys. Lett., 73, 1421 (1998)
  26. W. Wijanarakula. Appl. Phys. Lett., 59, 1185 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.