"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние кислорода на образование донорных центров в слоях кремния, имплантированных ионами эрбия и кислорода
Александров О.В.1, Захарьин А.О.2, Соболев Н.А.2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 декабря 2004 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.

Развита модель образования донорных центров, обусловленных совместной имплантацией ионов Er+ и O+ в кремний с последующим термическим отжигом, представляющих собой многочастичные эрбий-кислородные комплексы ErOn с n>=4. Учитывается конкурирующий процесс образования электрически неактивных кислородных кластеров. Модель позволяет описать зависимость коэффициента активации донорных центров от дозы имплантации ионов кислорода, а также влияние имплантации ионов кислорода и температуры отжига на концентрационные профили донорных центров.
  • Н.А. Соболев. ФТП, 29, 1153 (1995)
  • J. Michel, L.V.C. Assali, M.T. Morse, L.C. Kimerling. Semicond. Semimet., 49, 111 (1998)
  • F. Priolo, S. Coffa, G. Franzo, C. Spinella, A. Carnera, V. Bellani. J. Appl. Phys., 74, 4936 (1993)
  • N.A. Sobolev, A.M. Emel'yanov, Yu.A. Kudr'yavtsev, R.N. Kyutt, M.I. Makovijchuk, Yu.A. Nikolaev, E.O. Parshin, V.I. Sakharov, I.E. Serenkov, E.I. Shek, K.F. Shtel'makh. Sol. St. Phenomena, 57--58, 213 (1997)
  • V.V. Emtsev, V.V. Emtsev, jr., D.S. Poloskin, E.I. Shek, N.A. Sobolev, J. Michel, L.C. Kimerling. ФТП, 33, 1192 (1999)
  • V.V. Emtsev, jr., C.A.J. Ammerlaan, B.A. Andreev, G.A. Oganesyan, D.S. Poloskin, E.I. Shek, N.A. Sobolev. Sol. St. Phenomena, 82--84, 93 (2002)
  • О.В. Александров, А.О. Захарьин, Н.А. Соболев, Е.И. Шек. Изв. СПбГЭТУ, вып. 516, 48 (1998)
  • D.L. Adler, D.C. Jacobson, D.J. Eaglesham, M.A. Marcus, J.L. Benton, J.M. Poate, P.H. Citrin. Appl. Phys. Lett., 61, 2181 (1992)
  • A. Terrasi, G. Franzo, S. Coffa, F. Priolo, F. D'Acapito, S. Mobilio. Appl. Phys. Lett., 70, 1712 (1997)
  • В.Ф. Мастеров, Ф.С. Насрединов, П.П. Серегин, Е.И. Теруков, М.М. Мездрогина. ФТП, 32, 708 (1998)
  • J.D. Carrey. J. Phys.: Condens. Matter., 14, 8537 (2002)
  • U. Wahl, J.C. Correia, J.P. Araujo, A. Vantomme, G. Langouche. Physica B, 273--274, 342 (1999)
  • О.В. Александров, А.О. Захарьин. ФТП, 36, 1291 (2002)
  • T. Hallberg, J.L. Lindstrom. J. Appl. Phys., 72, 5130 (1992)
  • H. Koyama. J. Appl. Phys., 51, 3202 (1980)
  • V.V. Emtsev, jr., G.A. Oganesyan, K. Schmalz. Sol. St. Phenomena, 47--48, 259 (1996)
  • R.C. Newman. J. Phys.: Condens. Matter., 12, R335 (2000)
  • A. Ourmazd, W. Schroter, A. Bourret. J. Appl. Phys., 56, 1670 (1984)
  • M. Suezawa, K. Sumino. Phys. Status Solidi, 82, 235 (1984)
  • E. Chason, S.T. Picraux, J.M. Poate, J.O. Borland, M.I. Current, T.D. de la Rubia, D.J. Eaglesham, O.W. Holland, M.E. Law, C.W. Magee, J.W. Mayer, J. Melngailis, A.F. Tasch. J. Appl. Phys., 81, 6513 (1997)
  • R. Krause-Rehberg, F. Borner, F. Redmann, J. Gebauer, R. Kogler, R. Klieman, W. Skorupa, W. Egger, G. Kogel, W. Triftshauser. Physica B, 308--310, 442 (2001)
  • И.А. Аброян, А.Н. Андронов, А.И. Титов. Физические основы электронной и ионной технологий (М., Высш. шк., 1984)
  • A. Borghesi, B. Pivac, A. Sassela, A. Stella. J. Appl. Phys., 77, 4169 (1995)
  • J.C. Mikkelsen. Matter. Res. Soc. Symp. Proc., 59, 19 (1986)
  • L. Pelaz, G.H. Gilmer, M. Jaraiz, S.B. Herner, H.-J. Gossmann, D.J. Eaglesham, G. Hobler, C.S. Rafferty, J. Barbolla. Appl. Phys. Lett., 73, 1421 (1998)
  • W. Wijanarakula. Appl. Phys. Lett., 59, 1185 (1991)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.