Динамический хаос в частично освещенном компенсированном полупроводнике в условиях примесного электрического пробоя
Джандиери К.М.1, Качлишвили З.С.1, Строганов А.Б.1
1Тбилисский государственный университет, Тбилиси, Грузия
Поступила в редакцию: 21 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.
Рассчитана нелинейная динамика компенсированного полупроводника при примесном электрическом пробое в классически сильном магнитном поле в режиме закороченных контактов Холла и воздействии резонансного облучения, частота которого соответствует энергии ионизации водородоподобных донорных примесей. В результате получены как регулярные, так и хаотические автоколебания; причем для соответствующих значений бифуркационных параметров реализуются все три сценария возникновения хаоса. Полученные результаты могут стать теоретической основой функционирования легкоуправляемого высокочастотного генератора, режимы работы которого (включение, переход от регулярного режима в хаотический и наоборот) можно менять посредством изменения интенсивности подсветки.
- N. Balkan. Hot Electrons in Semiconductors (Clarendon Press, Oxford, 1998) pt II, p. 209
- R.P. Huebener, J. Peinke, J. Parisi. Appl. Phys. A, 48, 107 (1989)
- G. Hupper, E. Shcoell. Phys. Rev. Lett., 66, 2372 (1991)
- З.С. Качлишвили, К.М. Джандиери. Письма ЖЭТФ, 67 (5), 340 (1998)
- З.С. Качлишвили, К.М. Джандиери. Письма ЖТФ, 23 (8), 643 (1997)
- К.М. Джандиери, З.С. Качлишвили. ФТП, 35 (8), 873 (2001)
- E. Schoell. Sol. St. Electron., 31, 539 (1988)
- З.С. Качлишвили. ФТП, 2(4), 580 (1968)
- M. Lax. Phys. Rev., 119, 1502 (1960)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
- Z.S. Kachlishvili. Phys. Status Solidi B, 48, 65 (1971)
- Г. Шустер. Детерминированный хаос. Введение. [Пер. с англ.: М., Мир, 1988]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2023 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук