"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Возникновение электроусталости в МОП структурах в результате снижения высоты потенциального барьера при полевой ионизации атомов диэлектрика
Савинов И.С.1
1Московский энергетический институт, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 26 января 2004 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2005 г.

Выполнен расчет влияния ионизованного заряда в диэлектрике на величину избыточного тока в МОП структуре. Сравнение результатов численного расчета с экспериментальными данными показывает, что этот эффект может быть ответственным за зависящий от времени пробой сверхтонкого подзатворного диэлектрика в МОП транзисторах.
  1. O. Briere, A. Halimaoui, G. Chibaudo. Sol. St. Electron., 41 (7), 347 (1997)
  2. T. Brozek, E.C. Szyper, C.R. Viswanathan. Sol. St. Electron., 41 (7), 995 (1997).
  3. А.С. Дудников, Н.А. Зайцев. Электрон. техн., сер. 3, Микроэлектроника, N 1, 33 (2001)
  4. F.W. Shmidlin. J. Appl. Phys., 37 (7), 2823 (1966)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.