Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Возникновение электроусталости в МОП структурах в результате снижения высоты потенциального барьера при полевой ионизации атомов диэлектрика
1Московский энергетический институт, Москва, Россия 
Поступила в редакцию: 26 января 2004 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2005 г.
Выполнен расчет влияния ионизованного заряда в диэлектрике на величину избыточного тока в МОП структуре. Сравнение результатов численного расчета с экспериментальными данными показывает, что этот эффект может быть ответственным за зависящий от времени пробой сверхтонкого подзатворного диэлектрика в МОП транзисторах.
- O. Briere, A. Halimaoui, G. Chibaudo. Sol. St. Electron., 41 (7), 347 (1997)
- T. Brozek, E.C. Szyper, C.R. Viswanathan. Sol. St. Electron., 41 (7), 995 (1997).
- А.С. Дудников, Н.А. Зайцев. Электрон. техн., сер. 3, Микроэлектроника, N 1, 33 (2001)
- F.W. Shmidlin. J. Appl. Phys., 37 (7), 2823 (1966)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
