Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Резонансное туннелирование дырок в двубарьерных структурах с квантовыми точками InAs в центре квантовой ямы GaAs

Морозова Е.Н.¹, Макаровский О.Н.², Волков В.А.³, Дубровский Ю.В.¹, Turyanska L.², Вдовин Е.Е.¹, Patane A.², Eaves L.², Henini M.²

¹Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

²The School of Physics and Astronomy, University of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, UK
³Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия

Поступила в редакцию: 11 августа 2004 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2005 г.

PDF версия

Исследовано влияние квантовых точек InAs, выращенных в центре квантовой ямы GaAs, на туннельные характеристики резонансно-туннельных диодов на основе гетероструктур AlAs/GaAs/AlAs p-типа. Введение квантовых точек приводит к сдвигу и размытию резонансных пиков на вольт-амперных характеристиках диодов, однако этот эффект существенно зависит от номера 2D подзоны, через которую идет туннелирование. Причины такой зависимости качественно объяснены возникновением флуктуационного потенциала в окрестности слоя квантовых точек.

D. Bimberg, N. Ledentsov. J. Phys.: Condens. Matter, 15, R1063 (2003)
M.H. Devoret, R.J. Schoelkopf. Nature, 406, 1039 (2000)
Y. Sugiyama, Y. Nakata, S. Muto, Y. Awano, N. Yokoyama. Physica E, 7, 503 (2000)
H. Sakaki, G. Yusa, T. Someya, Y. Ohno, T. Noda, H. Akiyama, Y. Kakoya, H. Hoge. Appl. Phys. Lett., 67, 3444 (1995)
Yu.V. Dubrovskii, E.E. Vdovin, A. Patane, P.N. Brounkov, I.A. Larkin, L. Eaves, P.C. Main, D.K. Maude, J.-C. Portal, D.Yu. Ivanov, Yu.N. Khanin, V.V. Sirotkin, A. Levin, M. Henini, G. Hill. Nanotechnology, 12, 441 (2001)
A. Patane, A. Polimeni, L. Eaves, P.C. Main, M. Henini, Yu.V. Dubrovskii, A.E. Belyaev, P.N. Brounkov, E.E. Vdovin, Yu.N. Khanin, G. Hill. J. Appl. Phys., 88, 2005 (2000)
R.K. Hayden, D.K. Maude, L. Eaves, E.C. Valaderes, M. Henini, F.W. Sheard, O.H. Hughes, J.-C. Portal, L. Cury. Phys. Rev. Lett., 66, 1749 (1991).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель