"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрофизические и оптические свойства InP, облученного большими интегральными потоками нейтронов
Брудный В.Н.1, Колин Н.Г.2, Меркурисов Д.И.2, Новиков В.А.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2Филиал ФГУП "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова", Обнинск, Россия
Поступила в редакцию: 31 августа 2004 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2005 г.

Представлены результаты исследований электрофизических свойств и спектров оптического поглощения InP, облученного быстрыми нейтронами (E>0.1 МэВ, Df.n=<q 1019, см-2) и полным спектром реакторных нейтронов (Dth.n=<q 2.1· 1019 см-2, отношение потоков составляло varphith.n/varphif.n~ 1), а также характер изменения этих свойств при последующей термообработке материала до 900oC. Результаты оптических исследований свидетельствуют о том, что свободные носители заряда в сильно облученном нейтронами InP появляются только после отжига выше 500oC. Оценена эффективность ядерного легирования и качество ядерно-легированного материала.
  1. Л.С. Смирнов, С.П. Соловьев, В.Ф. Стась, В.А. Харченко. Легирование полупроводников методом ядерных реакций, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1982)
  2. L.F. Zakharenkov, V.V. Kozlovskii, B.A. Shustrov. Phys. Status Solidi (a), 117 (1), 85 (1990)
  3. Н.Г. Колин. Изв. вузов. Физика, 46 (6), 12 (2003)
  4. B. Lee, N. Pan, G.E. Stillman, K.L. Hiess. J. Appl. Phys., 62 (3), 1129 (1987)
  5. Н.Г. Колин, Д.И. Меркурисов, С.П. Соловьев. ФТП, 34 (2), 157 (2000)
  6. H.Y. Bardeleben, J.C. Bourgoin, K. Kainosho, O. Oda. Appl. Phys. Lett., 57 (23), 2464 (1990)
  7. D. Hoffman, G. Muller, N. Streckfuss. Appl. Phys. A, 48 (4), 315 (1988)
  8. V.N. Brudnyi, V.A. Charchenko, N.G. Kolin, V.A. Novikov, A.D. Pogrebnyak, Sh.M. Rusimov. Phys. Status Solidi (a), 93 (1), 195 (1986)
  9. V.N. Brudnyi, N.G. Kolin, and V.A. Novikov. Phys. Status Solidi (a), 132, 35 (1992)
  10. Н.Г. Колин, Д.И. Меркурисов, С.П. Соловьев. ФТП, 34 (2), 153 (2000)
  11. M. Kitagawa, T. Endo, J. Dei, T. Fudjino, K. Masumoto, K. Nakamura. Ann. Report of the radiation Center of Osaka Prefecture, 26, 75 (1985)
  12. Б.Е. Саморуков, С.В. Слободчиков. ФТП, 23 (5), 921 (1989)
  13. J.D. Woodhouse, J.P. Donnely, G.W. Iseler. Sol. St. Electron., 31 (1), 13 (1988)
  14. В.В. Козловский, Т.И. Кольченко, В.М. Ломако. ФТП, 24 (6), 1123 (1990)
  15. A. Sibille, J. Suski, M. Gileron. J. Appl. Phys., 60 (2), 595 (1986)
  16. K. Tadamasa, K. Makato, Ji-Kui Luo, Y. Shigemi, A. Yoshio. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res., 37-- 38, 321 (1989)
  17. P.E. Tompson, S.C. Binary, H.B. Dietrich. Sol. St. Electron., 26 (8), 805 (1983)
  18. В.Н. Брудный, В.А. Новиков. ФТП, 16 (10), 1880 (1982)
  19. В.Н. Брудный, П.Н. Дробот, В.А. Новиков. Изв. вузов. Физика. Деп. в ВИНИТИ, рег. N 6584-B87
  20. J. Tersoff. Phys. Rev. Lett., 58, 465 (1984)
  21. В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев. ФТП, 32 (3), 315 (1998)
  22. V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Physica B: Condens Matter 212, 429 (1995)
  23. В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев, Н.Г. Колин. Материаловедение, 72 (3), 17 (2003)
  24. V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, N.G. Kolin. Physica B: Condens Matter, 348, 213 (1995)
  25. E.Yu. Brailovski, G.N. Eritsyan, N.E. Grigoryan. Phys. Status Solidi (a), 78 (2), K 113 (1983)
  26. F.F. Leonberger, J.N. Walpole, J.P. Donnelly. IEEE J. Quant. Electron., 17 (6), 830 (1981)
  27. H.J. Bardeleben. Sol. St. Commun., 57 (2), 137 (1986)
  28. A. Goltzene, B. Meyer, C. Schwab. J. Appl. Phys., 62 (11), 4406 (1987)
  29. E. Wender, T. Opferman, P.I. Gaiduk. J. Appl. Phys., 82 (12), 5965 (1997)
  30. Оптические свойства полупроводников, под ред. Р. Уиллардсона, А. Бира. (М., Мир, 1970) [Пер. с англ.: Semiconductors and semimetals, ed. by R.K. Willardson, A.C. Beer (Academic Press, N.Y.--London, 1967)]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.