Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние p-легирования активной области на температурную стабильность характеристик лазеров на InAs/GaAs-квантовых точках
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2NL Nanosemiconductor GmbH, Dortmund, Germany
2NL Nanosemiconductor GmbH, Dortmund, Germany
Поступила в редакцию: 6 сентября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.
Проведено детальное исследование влияния легирования активной области длинноволновых лазеров на InAs-GaAs-квантовых точках акцепторной примесью на их характеристики. Показано, что увеличение степени легирования приводит к росту характеристической температуры и увеличению диапазона температурной стабильности пороговой плотности тока. В лазере со степенью легирования порядка 2·1012 см-2 акцепторов на одну плоскость квантовых точек продемонстрирована характеристическая температура 1200 K в диапазоне температур 15-75oC, а также постоянное значение дифференциальной квантовой эффективности в диапазоне температур 15-65oC. Для оптимизированной структуры максимальная достигнутая выходная мощность в непрерывном режиме составила 4.4 Вт.
- Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 939 (1982)
- L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond. Sci. Technol., 11, 554 (1996)
- L.V. Asryan, L. Luryi. IEEE J. Quant. Electron., 37, 905 (2001)
- L.V. Asryan, R.A. Suris. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 3, 148 (1997)
- V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Epitaxy of Nanostructures, ISBN 3.540-67817-4, Springer Series on Nanoscience and Technology (Springer, Berlin, 2003)
- A.R. Kovsh, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, S.S. Mikhrin, A.R. Vasil'ev, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, D.A. Livshits, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Electron. Lett., 38, 1104 (2002)
- K.J. Vahala, C.E. Zah. Appl. Phys. Lett., 52, 1945 (1988)
- O.B. Shchekin, J. Ahn, D.G. Deppe. Electron. Lett., 38, 712 (2002)
- M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, D.S. Sizov, Yu.M. Shernyakov, I.N. Kaiander, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, R. Heitz, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Yu.G. Musikhin, W. Neumann. Phys. Rev. B, 62, 16 671 (2000)
- O.B. Shchekin, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett., 80, 3277 (2002)
- O.B. Shchekin, G. Park, D.L. Huffaker, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett., 77, 466 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
