"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние p-легирования активной области на температурную стабильность характеристик лазеров на InAs/GaAs-квантовых точках
Новиков И.И.1, Гордеев Н.Ю.1, Карачинский Л.Я.1, Максимов М.В.1, Шерняков Ю.М.1, Ковш А.Р.2, Крестников И.Л.2, Кожухов А.В.2, Михрин С.С.2, Леден цов Н.Н.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2NL Nanosemiconductor GmbH, Dortmund, Germany
Поступила в редакцию: 6 сентября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.

Проведено детальное исследование влияния легирования активной области длинноволновых лазеров на InAs-GaAs-квантовых точках акцепторной примесью на их характеристики. Показано, что увеличение степени легирования приводит к росту характеристической температуры и увеличению диапазона температурной стабильности пороговой плотности тока. В лазере со степенью легирования порядка 2·1012 см-2 акцепторов на одну плоскость квантовых точек продемонстрирована характеристическая температура 1200 K в диапазоне температур 15-75oC, а также постоянное значение дифференциальной квантовой эффективности в диапазоне температур 15-65oC. Для оптимизированной структуры максимальная достигнутая выходная мощность в непрерывном режиме составила 4.4 Вт.
  1. Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 939 (1982)
  2. L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond. Sci. Technol., 11, 554 (1996)
  3. L.V. Asryan, L. Luryi. IEEE J. Quant. Electron., 37, 905 (2001)
  4. L.V. Asryan, R.A. Suris. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 3, 148 (1997)
  5. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Epitaxy of Nanostructures, ISBN 3.540-67817-4, Springer Series on Nanoscience and Technology (Springer, Berlin, 2003)
  6. A.R. Kovsh, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, S.S. Mikhrin, A.R. Vasil'ev, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, D.A. Livshits, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Electron. Lett., 38, 1104 (2002)
  7. K.J. Vahala, C.E. Zah. Appl. Phys. Lett., 52, 1945 (1988)
  8. O.B. Shchekin, J. Ahn, D.G. Deppe. Electron. Lett., 38, 712 (2002)
  9. M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, D.S. Sizov, Yu.M. Shernyakov, I.N. Kaiander, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, R. Heitz, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Yu.G. Musikhin, W. Neumann. Phys. Rev. B, 62, 16 671 (2000)
  10. O.B. Shchekin, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett., 80, 3277 (2002)
  11. O.B. Shchekin, G. Park, D.L. Huffaker, D.G. Deppe. Appl. Phys. Lett., 77, 466 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.