Вышедшие номера
Интерфейсная и межзонная лазерная генерация в гетероструктуре InAs/InAsSbP, выращенной методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
Астахова А.П.1, Ильинская Н.Д.1, Именков А.Н.1, Кижаев С.С.1, Молчанов С.С.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 июля 2004 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.

Источники когерентного излучения изготовлены на основе двойной гетероструктуры InAs/InAsSbP с толстой активной областью (3.3 мкм), выращенной методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Исследованы спектральные характеристики диодов при различных длинах резонатора и измерена поляризация излучения. Установлено, что модовый состав спектра определяется излучательной рекомбинацией на гетерогранице и в объеме активной области. При величине тока на 30% выше порогового значения проявляется новая мода с промежуточной длиной волны между длинами волн упомянутых излучений. Промежуточная мода, предположительно, обусловлена взаимодействием между модами интерфейсной и межзонной излучательной рекомбинации, одновременно присутствующими в резонаторе.