Вышедшие номера
Конструкция и технология изготовления матриц вертикально-излучающих лазеров
Малеев Н.А.1, Кузьменков А.Г.1, Жуков А.Е.1, Васильев А.П.1, Шуленков А.С.2, Чумак С.В.2, Никитина Е.В.1, Блохин С.А.1, Кулагина М.М.1, Семенова Е.С.1, Лившиц Д.А.1, Максимов М.В.1, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Минский научно-исследовательский институт радиоматериалов, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 28 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.

Предложена конструкция и технология изготовления матриц вертикально-излучающих лазеров с нижним полупроводниковым AlGaAs/GaAs и верхним AlGaO/GaAs распределенными брэгговскими отражателями. Реализованы матрицы, содержащие 8x 8 лазеров с активной областью на основе двух квантовых ям InGaAs. На индивидуальных излучающих элементах при диаметре окисленной апертуры 8-10 мкм получена лазерная генерация на длинах волн 960-965 нм в непрерывном режиме при комнатной температуре с пороговыми токами 1.0-2.5 мА, дифференциальной эффективностью до 0.4 мВт/мА и максимальной выходной мощностью более 2 мВт.