"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Экситонная фотолюминесценция и вертикальный транспорт фотовозбужденных носителей в сверхрешетках CdSe/CdMgSe
Решина И.И.1, Иванов С.В.1, Мирлин Д.Н.1, Седова И.В.1, Сорокин С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 сентября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.

Впервые исследованы спектры фотолюминесценции, возбуждения фотолюминесценции, рамановское рассеяние на фононах и вертикальный транспорт (вдоль направления роста) фотовозбужденных носителей и экситонов в слабонапряженных сверхрешетках CdSe/CdMgSe типа I, выращенных на подложках InAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Исследования проводились при различных температурах и интенсивностях возбуждения. Вертикальный транспорт исследовался чисто оптически по методу встроенной в сверхрешетку уширенной квантовой ямы, служившей резервуаром, в который попадают экситоны и носители заряда после туннелирования через сверхрешетку. При температурах 2-150 K транспорт преимущественно осуществляется свободными экситонами, но в сверхрешетках с периодами 5.9 и 7.3 нм он не является блоховским. Сравнение расчетных энергий межподзонных переходов в сверхрешетках с экспериментом дает относительную величину разрыва для валентной зоны в диапазоне 0.4-0.5. Из спектров рамановского рассеяния установлен двухмодовый характер поведения для оптических фононов в CdMgSe.
  1. N. Peranio, A. Rosenauer, D. Gerthsen, S.V. Sorokin, I.V. Sedova, S.V. Ivanov. Phys. Rev. B, 61, 16 015 (2000)
  2. I.I. Reshina, A.A. Toropov, S.V. Ivanov, D.N. Mirlin, M. Keim, A. Waag, G. Landwehr. J. Cryst. Growth, 214/ 215, 656 (2000)
  3. I.I. Reshina, S.V. Ivanov, D.N. Mirlin, A.A. Toropov, A. Waag, G. Landwehr. Phys. Rev. B, 64, 035 303 (2001)
  4. F.C. Zhang, H. Luo, N. Dai, N. Samarth, M. Dobrowolska, J.K. Furdyna. Phys. Rev. B, 47, 3806 (1993)
  5. V.A. Kaygorodov, V.S. Sorokin, I.V. Sedova, O.V. Nekrutkina, S.V. Sorokin, T.V. Shubina, A.A. Toropov, S.V. Ivanov. Acta Phys. Polon. A, 100 (3) 443 (2001)
  6. S.V. Ivanov, V.A. Kaygorodov, S.V. Sorokin, B.Ya. Meltser, V.A. Solov'ev, Ya.V. Terent'ev, O.G. Lyublinskaya, K.D. Moiseev, E.A. Grebenshchikova, M.P. Mikhailova, A.A. Toropov, Yu.P. Yakovlev, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Appl. Phys. Lett., 82, 3782 (2003)
  7. A. Chomette, B. Deveaud, J.Y. Emery, A. Regreny, B. Lambert. Sol. St. Commun., 54, 75 (1985)
  8. S.V. Ivanov, O.G. Lyublinskaya, Yu.B. Vasilyev, V.A. Kaygorodov, S.V. Sorokin, I.V. Sedova, V.A. Solov'ev, B.Ya. Meltser, A.A. Sitnikova, T.V. L'vova, V.L. Berkovits, A.A. Toropov, P.S. Kop'ev. Appl. Phys. Lett., 84, 4777 (2004)
  9. А.М. Бережковский, Р.А. Сурис. ЖЭТФ, 86, 193 (1984)
  10. G. Bastard. Phys. Rev. B, 24, 5693 (1981)
  11. Г.Л. Бир и Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
  12. V. Pellegrini, R. Atanasov, A. Tredicucci, F. Beltram, C. Amzulini, L. Sorba, L. Vanzetti, A. Franciosi. Phys. Rev. B, 51, 5171 (1995)
  13. Yi-Hong Wu. IEEE J. Quant. Electron., 30, 1562 (1994)
  14. C. Guenaud, E. Deleporte, A. Filoramo, Ph. Lelong, C. Delalande, C. Morhain, E. Tournie, J.P. Faurie. J. Cryst. Growth, 184/ 185, 839 (1998)
  15. C.G. Van de Walle. Phys. Rev. B, 39, 1871 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.