"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Метод измерения времени жизни носителей заряда в базовых областях быстродействующих диодных структур
Тогатов В.В.1, Гнатюк П.А.1
1Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 июля 2004 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2005 г.

Предложен метод измерения времени жизни носителей заряда в базовых областях p+-n-n+-структур, позволяющий производить измерения времен жизни в наносекундном диапазоне. Разработанная методика предусматривает такую же форму измерительного импульса тока, какая используется при стандартных измерениях времен восстановления диодных структур. На основе анализа решения уравнения непрерывности для дырок в области базы дано обоснование метода. Проведено сравнение расчетных данных с данными, полученными экспериментально.
  1. B. Lax, S.F. Neustadtez. J. Appl. Phys., 25, 1148 (1954)
  2. В.В. Тогатов. РЭ, 24, 2107 (1979)
  3. R.H. Kingston. Proc. IRE, 42, 829 (1954)
  4. B.R. Gossick. Phys. Rev., 91, 1012 (1953)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.