"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Варизонный фотоэлектрический детектор ионизирующих излучений
Дапкус Л.1, Пожела К.1, Пожела Ю.1, Шиленас А.1, Юцене В.1, Ясутис В.1
1Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 21 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 января 2005 г.

Гетероструктура - варизонный слой p-AlxGa1-xAs на n-GaAs-подложке - исследована в качестве детектора рентгеновского излучения и alpha-частиц с фотоэлектрическим откликом. Получено, что ампер-ваттная чувствительность детектора достигает 0.13 А/Вт. Вольт-ваттная чувствительность превышает 106 В/Вт. Исследовано влияние облучения alpha-частицами с энергией 5.48 эВ (241Am) на чувствительность детектора. Установлено, что при дозе облучения до 5·109 частиц/см2 чувствительность детектора падает в 1.5-2 раза. Дальнейшее увеличение дозы облучения до 4·1010 частиц/см2 не меняет чувствительности детектора.
  1. Л. Дапкус, К. Пожела, Ю. Пожела, А. Шиленас, В. Юцене, В. Ясутис. ФТП, 38, 1147 (2004)
  2. В.М. Андреев, В.Н. Блинов, В.А. Носенко, О.Г. Резванов, В.Н. Родионова. ФТП, 8, 4227 (1974)
  3. A. Silenas, J. Pozela, K.M. Smith, K. Pozela, V. Jasutis, L. Dapkus, V. Juciene. Nucl. Instrum. Meth. A, 487, 54 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.