Вышедшие номера
Варизонный фотоэлектрический детектор ионизирующих излучений
Дапкус Л.1, Пожела К.1, Пожела Ю.1, Шиленас А.1, Юцене В.1, Ясутис В.1
1Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 21 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 января 2005 г.

Гетероструктура - варизонный слой p-AlxGa1-xAs на n-GaAs-подложке - исследована в качестве детектора рентгеновского излучения и alpha-частиц с фотоэлектрическим откликом. Получено, что ампер-ваттная чувствительность детектора достигает 0.13 А/Вт. Вольт-ваттная чувствительность превышает 106 В/Вт. Исследовано влияние облучения alpha-частицами с энергией 5.48 эВ (241Am) на чувствительность детектора. Установлено, что при дозе облучения до 5·109 частиц/см2 чувствительность детектора падает в 1.5-2 раза. Дальнейшее увеличение дозы облучения до 4·1010 частиц/см2 не меняет чувствительности детектора.