"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О механизме инжекционных токов в светоизлучающих p-i-n-структурах на основе гидрогенизированных аморфных сплавов a-Si1-xCx : H
Андреев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 апреля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 января 2005 г.

Исследованы вольт-амперные характеристики тонкопленочных p-i-n- и pDiDn-струкутр, i-слой которых сформирован на основе гидрогенизированных аморфных сплавов a-Si1-xCx : H, а p- и n-слои представляют собой легированный a-Si : H. Для объяснения особенностей вольт-амперных характеристик I(V), а именно малых значений константы A в экспоненциальной зависимости тока от напряжения I propto exp(AV), предложен механизм туннельной инжекции из n-слоя непосредственно в область локализованных состояний. Процесс туннелирования является многоступенчатым и в общих чертах подобен рекомбинационному току в гетеропереходах. Высокая плотность локализованных состояний в запрещенной зоне a-Si1-xCx : H вблизи зонного края (~1020-1021 см-3) и ее зависимость от состава позволяют получить соответствующее экспериментальному значение константы A и объяснить уменьшение A с ростом содержания углерода в сплаве. При больших смещениях имеет место переход от монополярной инжекции к двойной и замещение безызлучательной рекомбинации на излучательную почти свободных электронов и дырок. Структуры с x=0.4-0.6 обнаруживали слабую электролюминесцению в видимом диапазоне, положение пика характеризуется стоксовским сдвигом, составляющим ~0.25Eg i-слоя.
  1. D. Kruangam, M. Deguchi, T. Toyama, H. Okamoto, Y. Hamakawa. IEEE Trans. Electron. Dev., 35, 957 (1988)
  2. G. Chen, F. Zhang, Sh. Yan. J. Non-Cryst. Sol., 137--138, 1263 (1991)
  3. S.M. Paashe, T. Toyama, H. Okamoto, Y. Hamakawa. IEEE Trans. Electron. Dev., 36, 2895 (1989)
  4. A.B. Pevtsov, A.V. Zherzdev, N.A. Feoktistov, G. Juska, T. Muschik, R. Schwarz. Int. J. Electron., 78, 289 (1995)
  5. A. Madan, W. Czubatyi, J. Yang, M. Shur, M.P. Shaw. Appl. Phys. Lett., 40, 234 (1989)
  6. W. Guang-Pu, D. Kruangam, T. Endo, H. Okamoto, Y. Hamakawa. J. Non-Cryst. Sol., 114, 735 (1989)
  7. L. Ley, H. Richter. J. Non-Cryst. Sol., 114, 238 (1989)
  8. A.R. Riben, D.L. Feucht. Int. J. Electron., 20, 583 (1966)
  9. S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y., Willey Interscience Publ., 1981)
  10. S. Liedtke, K. Jahn, F. Finger, W. Fuhs. J. Non-Cryst. Sol., 77--78, 1429 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.