Исследованы вольт-амперные характеристики тонкопленочных p-i-n- и pDiDn-струкутр, i-слой которых сформирован на основе гидрогенизированных аморфных сплавов a-Si_1-xC_x : H, а p- и n-слои представляют собой легированный a-Si : H. Для объяснения особенностей вольт-амперных характеристик I(V), а именно малых значений константы A в экспоненциальной зависимости тока от напряжения I propto exp(AV), предложен механизм туннельной инжекции из n-слоя непосредственно в область локализованных состояний. Процесс туннелирования является многоступенчатым и в общих чертах подобен рекомбинационному току в гетеропереходах. Высокая плотность локализованных состояний в запрещенной зоне a-Si_1-xC_x : H вблизи зонного края (~10²⁰-10²¹ см^-3) и ее зависимость от состава позволяют получить соответствующее экспериментальному значение константы A и объяснить уменьшение A с ростом содержания углерода в сплаве. При больших смещениях имеет место переход от монополярной инжекции к двойной и замещение безызлучательной рекомбинации на излучательную почти свободных электронов и дырок. Структуры с x=0.4-0.6 обнаруживали слабую электролюминесцению в видимом диапазоне, положение пика характеризуется стоксовским сдвигом, составляющим ~0.25E_g i-слоя.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.