"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Кинетика и неоднородная инжекция носителей в нанослоях InGaN
Сизов Д.С.1, Сизов В.С.1, Заварин Е.Е.1, Лундин В.В.1, Фомин А.В.1, Цацульников А.Ф.1, Леденцов Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 января 2005 г.

Исследовались электронно-оптические свойства светодиодных структур, содержащих в активной области несколько рядов квантовых точек InGaN/GaN, разделенных спейсерами GaN. Показано, что заращивание слоя квантовых точек слоем InGaN более низкого состава с повышением температуры позволяет усилить глубину локализации носителей в квантовых точках. Кроме того, наблюдается неоднородная инжекция носителей преимущественно в области с большей глубиной локализации. Подробно исследованы электронно-оптические свойства p-n-перехода и влияние указанных неоднородностей на эти свойства и показано, что сдвиги линий излучения фото- и электролюминесценции при изменении условий измерений связаны с данными свойствами неоднородности в p-n-переходе.
  1. R. P. O'Donnell, S. Pereira, R.W. Martin, P.R. Edwards, M.J. Tobin, J.F.W. Masselmans. Phys. Status Solidi A, 195, 532, (2003)
  2. T. Okumura, Y. Akagi. J. Cryst. Growth, 223, 43 (2001)
  3. M.S. Jeong, J.Y. Kim, Y.-W. Kim, J.O. White, E.-K. Suh, C.-H. Hong, H.J. Lee. Appl. Phys. Lett., 79, 976 (2001)
  4. T. Mukai, M. Yamada, S. Nakamura. Jap. J. Appl. Phys., 38, 3976 (1999)
  5. S. Chichibu, T. Sota, K. Wada, S. Nakamura. J. Vac. Sci. Technol. B, 16, 2204 (1998)
  6. P.G. Eliseev, P. Perlin, J. Lee, M. Osinski. Appl. Phys. Lett., 71, 569 (1997)
  7. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998)
  8. I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, A.F. Tsatsul'nikov, A.S. Usikov, Zh.I. Alferov, Yu.G. Musikhin, D. Gerthsen. Phys. Rev. B, 66, 155 310 (2002).
  9. A.V. Sakharov, W.V. Lundin, I.L. Krestnikov, E.E. Zavarin, A.S. Usikov, A.F. Tsatsul'nikov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. Proc. 8th Int. Symposium "Nanostructures Physics and Technology", St. Petersburg, June 19-23, 2000, p. 216
  10. R.W. Martin, P.G. Middelton, K.P. O'Donnell, W. Van der Stricht. Appl. Phys. Lett., 74 (2), 263 (1999)
  11. D.S. Sizov, V.S. Sizov, A.I. Besulkin, A.V. Fomin, V.V. Lundin, M.A. Sinitsyn, A.F. Tsatsul'nikov, E.E. Zavarin, N.N. Ledentsov. Proc. 12th Int. Symposium "Nanostructures Physics and Technology", St. Petersburg, June 21--25, 2004
  12. P. Fisher, J. Christen, S. Nakamura. Jap. J. Appl. Phys., 39, L129 (2000)
  13. В.Е. Кудряшов, К.Г. Золин, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин. ФТП, 31, 1304 (1997)
  14. H.C. Casey, jr., J. Muth, S. Krishnankutty, J.M. Zavada. Appl. Phys. Lett., 68, 2867 (1996)
  15. T. Takeuchi, C. Wetzel, S. Yamaguchi, H. Sakay, H. Amano, I. Akasaki, Y. Kaneko, S. Nakagawa, Y. Yamaoka, N. Yamada. Appl. Phys. Lett., 73, 1691 (1998).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.