"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптические свойства пористого наноразмерного GaAs
Белогорохов А.И.1, Гаврилов С.А.2, Белогорохов И.А.3, Тихомиров А.А.2
1ФГУП "Гиредмет", Москва, Россия
2Московский государственный институт электронной техники (Технический университет), Москва, Россия
3Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 30 марта 2004 г.
Выставление онлайн: 20 января 2005 г.

Исследованы оптические свойства слоев пористого GaAs, полученных методом электрохимического травления монокристаллических пластин GaAs(100) n- и p-типа проводимости. Показано, что форма нанокристаллов, их средний диаметр и поверхностные состояния зависят от типа проводимости исходного кристалла. Обнаружено смещение пиков, соответствующих основным оптическим фононам, в низкочастотную область спектров комбинационного рассеяния света. Значения частот колебаний поверностных фононов, полученные из спектров комбинационного рассеяния света и спектров отражения в инфракрасном диапазоне длин волн, совпадают. При переходе от объемного GaAs к его пористой модификации изменяются формы спектральных зависимостей коэффициента отражения в области фононного резонанса, что обусловлено появлением дополнительных осцилляторов, связанных с пространственно ограниченными решеточными колебаниями в нанокристаллах GaAs. Методом атомно-силовой микроскопии проведено исследование морфологии поверхности образцов пористого GaAs, полученных на подложках n-типа проводимости. Наблюдался наноразмерный рельеф поверхности. Оценки значений среднего диаметра нанокристаллов GaAs, сделанные по результатам комбинационного рассеяния света, инфракрасной спектроскопии, фотолюминесценции и атомно-силовой микроскопии, хорошо согласуются друг с другом.
  1. D.J. Lockwood, P. Schmuki, H.J. Labbe, J.W. Fraser. Physica E, 4, 102 (1999)
  2. Н.С. Аверкиев, Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, Ю.В. Рудь, А.Н. Смирнов, Н.Н. Смирнова. ФТП, 34 (6), 757 (2000)
  3. Д.Н. Горячев, О.М. Сресели. ФТП, 31 (11), 1383 (1997)
  4. В.В. Мамутин, В.П. Улин, В.В. Третьяков, С.В. Иванов, С.Г. Конников, П.С. Копьев. Письма ЖТФ, 25 (1), 3 (1999)
  5. Ю.Н. Бузынин, С.А. Гусев, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, В.И. Шашакин. Письма ЖТФ, 26 (7), 64 (2000)
  6. А.И. Белогорохов, В.А. Караванский, А.Н. Образцов, В.Ю. Тимошенко. Письма ЖЭТФ, 60 (4), 262 (1994)
  7. A.I. Belogorokhov, Yu.A. Pusep, L.I. Belogorokhova. J. Phys.: Condens. Matter, 12, 3897 (2000)
  8. Ю.Н. Бузынин, С.А. Гусев, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель. ЖТФ, 70 (5), 128 (2000)
  9. Е.А. Виноградов, И.И. Хаммадов. Спектроскопия объемных и поверхностных фононов кристаллов (Ташкент, Фан, 1989)
  10. R. Enderlein. Phys. Rev. B, 47, 2162 (1993)
  11. Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973)
  12. A.V. Ghainer, G.I. Surdutovich. Phys. Rev. A, 50, 714 (1994)
  13. А.И. Белогорохов, Л.И. Белогорохова. ФТТ, 43 (9), 1693 (2001)
  14. S.-F. Ren, Z.-Q. Gu, D. Lu. Sol. St. Commun., 113, 273 (2000)
  15. M.A. Stroscio, K.W. Kim, M.A. Littlejohn, H. Chuang. Phys. Rev. B, 42 (2), 1488 (1990)
  16. Травление полупроводников, пер. с англ. под ред. С.Н. Горина (М., Мир, 1965)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.