Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Неомическая проводимость и механизмы релаксации энергии 2D электронного газа в гетероструктурах GaAs/InGaAs/GaAs
1Уральский государственный университет, Екатеринбург, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 14 октября 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2005 г.
Проведено исследование разогрева двумерного электронного газа в структурах GaAs/InGaAs/GaAs в диапазоне температур 0.4-4 K и концентраций (1.5-6)· 1015 м-2. Показано, что скорость релаксации энергии хорошо описывается теоретическими выражениями для релаксации энергии при рассеянии на деформационном и пьезоэлектрическом потенциале акустических фононов во всем исследованном диапазоне температур и концентраций. Показано, что используемые в большинстве работ аналитические выражения для скорости релаксации энергии, полученные для низко- и высокотемпературного режимов, работают только при строгом выполнении соотношения между квазиимпульсом Ферми и импульсом тепловых фононов. Показано, что скорость релаксации энергии немонотонно зависит от концентрации электронов. Так, при температуре решетки 1.4 K она возрастает при уменьшении концентрации электронов до n=2.5· 1015 м-2, а затем падает при дальнейшем уменьшении n.
- S. Marianer, B.I. Shklovskii. Phys. Rev. B, 46, 13 100 (1992)
- E. Chow, H.P. Wei, S.M. Girvin, W. Jan, J.E. Cunningham. Phys. Rev. B, 56, K1676 (1997)
- N.J. Appleyard, J.T. Nicholls, M.Y. Simmons, W.R. Tribe, M. Pepper. Phys. Rev. Lett., 81, 3491 (1998)
- A.K.M. Wennberg, S.N. Ytterboe, C.M. Gould, H.M. Bozler, J. Klem, H. Morkoc. Phys. Rev. B, 34, 4409 (1986),
- D.R. Leadley, R.J. Nicholas, J.J. Harris, C.T. Foxon. Semicond. Sci. Technol., 4, 879 (1989)
- R. Fletcher, Y. Feng, C.T. Foxon, J.J. Harris. Phys. Rev. B, 61, 2028 (2000)
- V.E. Gershenson, Yu.B. Khavin, D. Reuter, P. Schafmeister, A.D. Wieck. Phys. Rev. Lett., 85, 1718 (2000)
- Y. Ma, R. Fletcher, E. Zaremba, M.D. 'Iorio, C.T. Foxon, J.J. Harris. Phys. Rev. B, 43, 9033 (1991)
- И.Г. Савельев, Т.А. Полянская, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 21, 2096 (1987)
- V. Chabasseur-Molyneus, A.S. Dzurak, A. Kozorezov, J.K. Wigmore, D.A. Ritchie, A.C. Churshill, M. Pepper. Phyhs. Rev. B, 51, 13 793 (1995)
- G.M. Minkov, O.E. Rut, A.V. Germanenko, A.A. Sherstobitov, V.I. Shashkin, O.I. Khrykin, V.M. Daniltsev. Phys. Rev. B, 64, 235 327 (2001)
- P.J. Price. J. Appl. Phys., 53, 6863 (1982)
- A. Kabasi, D. Chattopadhyay. Phys. Rev. B, 43, 14 638 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
